[发明专利]一种存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储装置，其特征在于，包含多个存储单元，该多个存储单元中的每一存储单元，包含：

一二极管，包含掺杂半导体材料；

一介电间隔物，在该二极管上，且定义一开口，该介电间隔物具有一侧边，该侧边与该二极管的侧边对准；及

一存储器元件，在该介电间隔物上以及包含在该开口内与该二极管的一顶表面接触的一部份。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，该多个存储单元中的每一存储单元的该二极管，包含：

一第一掺杂半导体区域，具有第一导电型态；

一第二掺杂半导体区域，位于该第一掺杂半导体区域上，且具有与该第一导电型态相反的第二导电型态；及

一导电覆盖层，位于该第二掺杂半导体区域上。

3.根据权利要求2所述的存储装置，其特征在于：

该第一掺杂半导体区域包含n型掺杂半导体材料；

该第二掺杂半导体区域包含p型掺杂半导体材料；及

该导电覆盖层包含一金属硅化物。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，该开口位于该二极管上的介电间隔物的中心。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，更包含：

延伸于一第一方向的多条字线；及

位于该多个字线上且延伸于一第二方向的多条位线，该位线与该字线交叉于交点位置；

其中，该多个存储单元位于该多个交点位置上，该多个存储单元中的每一存储单元电性连结于该多个字线中的对应字线及该多个位线中的对应位线。

6.根据权利要求5所述的存储装置，其特征在于：

该多个存储单元中的每一存储单元的该二极管、该介电间隔物、及该存储器元件形成一具有第一、第二、第三及第四侧边的结构；

该多个存储单元中的每一存储单元的该结构的第一及第二侧边与对应字线的侧边自我对准；及

该多个存储单元中的每一存储单元的该结构的第三及第四侧边与对应位线的侧边自我对准。

7.根据权利要求5所述的存储装置，其特征在于：

该多个字线具有字线宽度且相邻的字线是由一字线分离距离所分开；

该多个位线具有位线宽度且相邻的位线是由一位线分离距离所分开；及

该多个存储单元中的每一存储单元具有一存储单元面积，该存储单元面积具有一沿着第一方向的第一侧边及一沿着第二方向的第二侧边，该第一侧边具有等于该位线宽度与该位线分离距离总和的一长度，该第二侧边具有等于该字线宽度与该字线分离距离总和的另一长度。

8.根据权利要求7所述的存储装置，其特征在于，第一侧边的该长度等于一特征尺寸F的两倍，及第二侧边的该长度等于该特征尺寸F的两倍，如此该存储单元面积等于4F²。

9.一种存储装置的制造方法，该方法包含形成多个存储单元，该多个存储单元中的每一存储单元，其特征在于，包含：

一二极管，包含掺杂半导体材料；

一介电间隔物，在该二极管上，且定义一开口，该介电间隔物具有一侧边，该侧边与该二极管的侧边对准；及

一存储器元件，在该介电间隔物上以及包含在该开口内与该二极管的一顶表面接触的一部份。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该多个存储单元中的每一存储单元的该二极管，包含：

一第一掺杂半导体区域，具有一第一导电型态；

一第二掺杂半导体区域，位于该第一掺杂半导体区域上及具有与该第一导电型态相反的第二导电型态；

一导电覆盖层，位于第二掺杂半导体区域上。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：

该第一掺杂半导体区域包含n型掺杂半导体材料；

该第二掺杂半导体区域包含p型掺杂半导体材料；及

该导电覆盖层包含金属硅化物。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该开口位于该二极管上的介电间隔物的中心。