[发明专利]操作磁随机存取存储器装置的方法有效
| 申请号： | 200910158688.5 | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101625890A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 金洸奭;徐顺爱;金起园;黄仁俊;申炯淳;李昇妍;李丞晙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;罗延红 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种操作包括磁阻结构和开关结构的磁随机存取存储器装置的方法。根据所述方法，当提供电流以将数据写入到磁阻结构时，可以通过控制开关结构的栅极电压来减小根据电流方向的电流变化。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 随机存取存储器 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种操作包括磁阻结构和开关结构的磁随机存取存储器装置的方法，所述方法包括如下步骤：将第一栅极电压施加到开关结构的栅极，以向磁阻结构提供沿第一方向的电流，从而将第一数据写入到磁阻结构；将第二栅极电压施加到开关结构的栅极，以向磁阻结构提供沿第二方向的电流，从而将第二数据写入到磁阻结构，第一栅极电压处于沿第一方向的电流与沿第二方向的电流相等的电平，所述沿第二方向的电流用来将第二数据写入到磁阻结构中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910158688.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
