[发明专利]操作磁随机存取存储器装置的方法有效
| 申请号： | 200910158688.5 | 申请日： | 2009-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101625890A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 金洸奭;徐顺爱;金起园;黄仁俊;申炯淳;李昇妍;李丞晙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;罗延红 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 操作 随机存取存储器 装置 方法 | ||
1.一种操作包括磁阻结构和开关结构的磁随机存取存储器装置的方法， 所述方法包括如下步骤：
通过字线将第一栅极电压施加到开关结构的栅极，以通过位线向磁阻结 构提供沿第一方向的电流，从而将第一数据写入到磁阻结构；
通过字线将第二栅极电压施加到开关结构的栅极，以通过位线向磁阻结 构提供沿第二方向的电流，从而将第二数据写入到磁阻结构，第一栅极电压 处于沿第一方向的电流与沿第二方向的电流相等的电平，所述沿第二方向的 电流用来将第二数据写入到磁阻结构中。
2.如权利要求1所述的方法，其中，第一栅极电压比第二栅极电压高。
3.如权利要求1所述的方法，其中，开关结构包括：源极和漏极，位于 基板上；栅极，形成在基板上并连接到所述源极和漏极。
4.如权利要求3所述的方法，其中，磁随机存取存储器装置包括用于改 变栅极电压的驱动器电路。
5.如权利要求4所述的方法，其中，驱动器电路为NMOS字线驱动器 电路或CMOS字线驱动器电路。
6.如权利要求3所述的方法，其中，磁阻结构经导电塞电连接到源极或 漏极，磁阻结构包括反铁磁层、固定层、非磁层和自由层。
7.如权利要求6所述的方法，其中，磁随机存取存储器装置还包括：
第一层间绝缘层，形成在基板和栅极上；
第一杂质区和第二杂质区，形成在基板上，其中，
导电塞穿过第一层间绝缘层形成在第二杂质区上。
8.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括如下步骤：
通过驱动器电路基于与选择的行地址对应的信号产生第一电压。
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