[发明专利]掺Bi卤化物激光晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 200910151679.3 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101643934A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 徐军;苏良碧;李红军;周朋;喻军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;H01S3/16 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掺Bi卤化物激光晶体及其制备方法，属于激光晶体领域。本发明的掺Bi卤化物激光晶体为碱金属或碱土金属卤化物晶体，Bi离子掺杂浓度Bi％的取值范围为：0.01at％≤Bi％≤5.0at％。本发明的晶体采用熔体法生长，生长气氛采用惰性或弱还原性气体，可以是氮气、氩气、或者是它们按一定比例与H2混合形成的混合气体。本发明的掺Bi卤化物激光晶体可应用于波长可调谐或超短脉冲激光器。 | ||
| 搜索关键词： | bi 卤化物 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、掺Bi卤化物激光晶体，其特征在于，所述掺Bi卤化物激光晶体的基质晶体为碱金属或碱土金属卤化物晶体，所述掺Bi卤化物激光晶体中，Bi离子掺杂浓度Bi％的取值范围为：0.01at％≤Bi％≤5.0at％。
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