[发明专利]掺Bi卤化物激光晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 200910151679.3 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101643934A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 徐军;苏良碧;李红军;周朋;喻军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;H01S3/16 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | bi 卤化物 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
1.具有红外1.0-1.7um波段宽带放光特性的掺Bi卤化物激光晶体，其特征在于，所述掺 Bi卤化物激光晶体的基质晶体为CsI；所述掺Bi卤化物激光晶体中，Bi离子掺杂浓度 Bi％的取值范围为：0.1at％≤Bi％≤2.0at％。
2.如权利要求1所述的掺Bi卤化物激光晶体，其特征在于，在掺入Bi离子的同时掺入Y3+、 La3+离子，共掺离子的比例是Bi离子掺杂浓度的0.2～2倍。
3.如权利要求1-2中任一权利要求所述掺Bi卤化物激光晶体的制备方法，其特征在于采用 熔体法生长，晶体生长气氛采用惰性或弱还原性气体。
4.如权利要求3中所述掺Bi卤化物激光晶体的制备方法，其特征在于，所述采用熔体法生 长晶体完毕后，将生长获得的掺Bi卤化物激光晶体进行辐照处理或者退火处理。
5.如权利要求4中所述掺Bi卤化物激光晶体的制备方法，其特征在于，所述辐照处理的辐 照源为X射线或γ射线。
6.如权利要求4中所述掺Bi卤化物激光晶体的制备方法，其特征在于，所述退火处理的退 火气氛为氢气、氩气、氮气；退火处理的温度为200～800℃；退火处理的时间为0.5h～ 10h。
7.权利要求1-2中任一权利要求所述掺Bi卤化物激光晶体应用于脉冲激光器、可调谐脉冲 激光器或超短脉冲激光器。
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