[发明专利]具有垂直栅极的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910151419.6 | 申请日： | 2009-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101770988A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 郑永均 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L27/105;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及具有垂直栅极的半导体器件及其制造方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底中形成通过沟槽而彼此分隔的掩埋位线，形成暴露衬底顶表面的多个第一柱孔，形成掩埋在第一柱孔中的第一有源柱，在包括第一有源柱的所得结构的整个表面上形成栅极导电层，通过蚀刻栅极导电层形成栅电极以覆盖第一有源柱，通过部分蚀刻栅电极形成暴露第一有源柱的多个第二柱孔，和形成掩埋在第二柱孔中并连接第一有源柱的第二有源柱。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 栅极 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成通过沟槽而彼此分隔的掩埋位线；形成暴露所述衬底顶表面的多个第一柱孔；形成掩埋在所述第一柱孔中的第一有源柱；在包括所述第一有源柱的所得结构的整个表面上形成栅极导电层；通过蚀刻所述栅极导电层形成栅电极，以覆盖所述第一有源柱；通过部分蚀刻所述栅电极，形成暴露所述第一有源柱的多个第二柱孔；和形成掩埋在所述第二柱孔中并连接所述第一有源柱的第二有源柱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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