[发明专利]浸液光刻显影处理方法、该显影处理方法中使用的溶液和使用该显影处理方法的电子装置有效
| 申请号： | 200910150481.3 | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101614969A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 寺井护;萩原琢也;石桥健夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30;G03F7/32;G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉兰;孙秀武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及浸液光刻显影处理方法、该显影处理方法中使用的溶液和使用该显影处理方法的电子装置。本发明是用于得到消除显影缺陷的电子装置的浸液光刻显影方法，其目的在于提供简便、低成本且能够赋予可高速扫描的高防水性的工艺。本发明的目的是提供浸液光刻显影处理方法、该显影处理方法中使用的溶液和使用了该显影处理方法的电子装置，该方法不引入新设备，并加入了利用价格便宜的材料所带来的改良。本发明的浸液光刻显影处理方法是包括利用了碱浸渍的显影工序的电子装置的浸液光刻显影处理方法，其特征是包括溶解除去工序，该溶解除去工序使用选择性溶解除去含有表面偏析剂和化学增幅型抗蚀剂的抗蚀剂中表面偏析剂的溶解除去溶液来进行。 | ||
| 搜索关键词： | 浸液 光刻 显影 处理 方法 使用 溶液 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.浸液光刻显影处理方法，其是具备抗蚀剂的电子装置的浸液光刻显影处理方法，所述抗蚀剂含有表面偏析剂和化学增幅型抗蚀剂，其特征在于，包括有利用了碱浸渍的显影工序，上述显影处理方法包括溶解除去工序，所述溶解除去工序使用选择性溶解除去上述抗蚀剂中的上述表面偏析剂的溶解除去溶液而进行。
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