[发明专利]浸液光刻显影处理方法、该显影处理方法中使用的溶液和使用该显影处理方法的电子装置

权利要求书

1.浸液光刻显影处理方法，其是具备抗蚀剂的电子装置的浸液光刻 显影处理方法，所述抗蚀剂含有至少下述通式(1)表示的表面偏析剂和 化学增幅型抗蚀剂，其特征在于，

包括有利用了碱浸渍的显影工序，

上述显影处理方法包括溶解除去工序，所述溶解除去工序使用选择性 溶解除去上述抗蚀剂中的上述表面偏析剂的溶解除去溶液而进行，

-(CH₂-C(COOY⁰R^f)R)-    (1)

其中，R为氢原子、低级烷基、卤原子或者卤化低级烷基，Y⁰为亚 烷基，R^f为氟化烷基。

2.根据权利要求1所述的浸液光刻显影处理方法，其特征在于，上 述溶解除去工序是在上述显影工序前实施的工序，其是利用清洗处理或者 浸渍处理实施的工序。

3.根据权利要求1所述的浸液光刻显影处理方法，其特征在于，上 述溶解除去工序与上述显影工序同时实施。

4.根据权利要求1所述的浸液光刻显影处理方法，其特征在于，上 述溶解除去工序在上述显影工序后实施。

5.根据权利要求1所述的浸液光刻显影处理方法，其特征在于，上 述显影工序和上述溶解除去工序使用相同的杯进行。

6.根据权利要求1所述的浸液光刻显影处理方法，其特征在于，上 述溶解除去工序中的上述溶解除去溶液含有碳原子数为4以上的醇和碳 原子数为5以上的烷基醚的至少任一者。

7.根据权利要求1所述的浸液光刻显影处理方法，其特征在于，上 述溶解除去工序中的上述溶解除去溶液包含含有氟的溶剂。

8.根据权利要求1所述的浸液光刻显影处理方法，其特征在于，上 述溶解除去工序中的上述溶解除去溶液包含碳原子数为4以上的醇和碳 原子数为5以上的烷基醚。

9.根据权利要求1所述的浸液光刻显影处理方法，其特征在于，上 述溶解除去工序中的上述溶解除去溶液包含含有氟的溶剂。

10.根据权利要求1所述的浸液光刻显影处理方法，其特征在于，上 述溶解除去工序中的上述溶解除去溶液含有水。

11.电子装置，其使用根据权利要求1所述的浸液光刻显影处理方法 制备。