[发明专利]固体摄像器件及其制造方法以及摄像装置有效
申请号: | 200910150082.7 | 申请日: | 2009-07-09 |
公开(公告)号: | CN101626028A | 公开(公告)日: | 2010-01-13 |
发明(设计)人: | 中田征志;味沢治彦;吉田直嗣;中野泰弘;古川顺一;东宫祥哲;藤曲润一郎 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/528;H01L21/82;H01L21/768;H04N5/335 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了固体摄像器件及其制造方法以及摄像装置,所述固体摄像器件包括:具有包括光电转换部的像素区域的半导体基板、包括导线并隔着绝缘膜被布置在半导体基板上的布线部、连接至导线的金属焊盘、覆盖金属焊盘的焊盘覆层绝缘膜以及波导材料层。在光电转换部上方的布线部和焊盘覆层绝缘膜中都设有开口,且它们的开口彼此连续从而限定具有敞开侧和封闭侧的波导开口。波导材料层隔着钝化层被布置在波导开口中及焊盘覆层绝缘膜上。焊盘覆层绝缘膜具有50~250nm范围内的厚度且具有限定该焊盘覆层绝缘膜中的开口的面。该面是倾斜的,并且朝着波导开口的敞开侧逐渐扩宽。在本发明中,增加了光电转换部能够接收的光量。因而,能够提高灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 及其 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
1.一种固体摄像器件,其包括:半导体基板,所述半导体基板具有像素区域和所述像素区域周围的周边电路区域,所述像素区域包括通过对入射光进行光电转换而产生电信号的光电转换部;布线部,所述布线部包括导线并且隔着绝缘膜被布置在所述半导体基板上,在所述光电转换部上方的所述布线部中设有开口;连接至所述导线的金属焊盘;覆盖所述金属焊盘的焊盘覆层绝缘膜,在所述光电转换部上方的所述焊盘覆层绝缘膜中设有由所述焊盘覆层绝缘膜的面限定的开口,所述焊盘覆层绝缘膜中的开口与所述布线部中的开口被连续形成从而限定具有敞开侧和封闭侧的波导开口;以及波导材料层,所述波导材料层隔着钝化层被布置在所述波导开口中及所述焊盘覆层绝缘膜上,其中,所述焊盘覆层绝缘膜具有50~250nm范围内的厚度,并且限定了所述焊盘覆层绝缘膜中的开口的所述焊盘覆层绝缘膜的那个面是倾斜的,该面朝着所述波导开口的敞开侧逐渐扩宽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社,未经索尼株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910150082.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种儿童组合训练器
- 下一篇:一种用于补钙的药物组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的