[发明专利]固体摄像器件及其制造方法以及摄像装置

权利要求书

1.一种固体摄像器件，其包括：

半导体基板，所述半导体基板具有像素区域和所述像素区域周围的周边电路区域，所述像素区域包括通过对入射光进行光电转换而产生电信号的光电转换部；

布线部，所述布线部包括导线并且隔着绝缘膜被布置在所述半导体基板上，在所述光电转换部上方的所述布线部中设有开口；

连接至所述导线的金属焊盘；

覆盖所述金属焊盘的焊盘覆层绝缘膜，在所述光电转换部上方的所述焊盘覆层绝缘膜中设有由所述焊盘覆层绝缘膜的面限定的开口，所述焊盘覆层绝缘膜中的开口与所述布线部中的开口被连续形成从而限定具有敞开侧和封闭侧的波导开口；以及

波导材料层，所述波导材料层隔着钝化层被布置在所述波导开口中及所述焊盘覆层绝缘膜上，

其中，所述焊盘覆层绝缘膜具有50～250nm范围内的厚度，并且限定了所述焊盘覆层绝缘膜中的开口的所述焊盘覆层绝缘膜的那个面是倾斜的，该面朝着所述波导开口的敞开侧逐渐扩宽。

2.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述像素区域包括：所述光电转换部；将从所述光电转换部读取的信号电荷转换为电压的像素晶体管部；以及具有浅沟槽隔离结构并将所述光电转换部与所述像素晶体管部分隔开的第一隔离部，所述第一隔离部被部分地埋入所述半导体基板中，并且

所述周边电路区域包括具有浅沟槽隔离结构并被部分地埋入所述半导体基板中的第二隔离部，且所述第一隔离部的埋入所述半导体基板中的那部分的深度小于所述第二隔离部的埋入所述半导体基板中的那部分的深度。

3.一种固体摄像器件，其包括：

半导体基板，所述半导体基板具有像素区域和所述像素区域周围的周边电路区域，所述像素区域包括通过对入射光进行光电转换而产生电信号的光电转换部；

布线部，所述布线部包括设有多条导线的多个绝缘中间层，所述布线部隔着绝缘膜被布置在所述半导体基板上，在所述光电转换部上方的所述布线部中设有开口；

金属焊盘，其被布置在所述多个绝缘中间层之中的最上层绝缘中间层上并且连接至所述多条导线之中的一条导线；

覆盖所述金属焊盘的焊盘覆层绝缘膜，在所述光电转换部上方的所述焊盘覆层绝缘膜中设有由所述焊盘覆层绝缘膜的面限定的开口，所述焊盘覆层绝缘膜中的开口与所述布线部中的开口被连续地形成从而限定具有敞开侧和封闭侧的波导开口；以及

波导材料层，所述波导材料层隔着钝化层被布置在所述波导开口中及所述焊盘覆层绝缘膜上，

其中，所述最上层绝缘中间层包括上面设有所述金属焊盘的部分以及未设有所述金属焊盘的部分，并且未设有所述金属焊盘的部分的厚度小于在所述金属焊盘下方的部分的厚度，并且

限定了所述焊盘覆层绝缘膜中的开口的所述焊盘覆层绝缘膜的面是倾斜的，该面朝着所述波导开口的敞开侧逐渐扩宽。

4.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述布线部包括设有多条导线的多个绝缘中间层，所述多条导线包括连接至所述金属焊盘的那条导线，并且

所述多个绝缘中间层的最上层绝缘中间层包括上面设有所述金属焊盘的部分以及未设有所述金属焊盘的部分，未设有所述金属焊盘的部分的厚度小于在所述金属焊盘下方的部分的厚度。

5.一种固体摄像器件，其包括：

半导体基板，所述半导体基板具有像素区域和所述像素区域周围的周边电路区域，所述像素区域包括通过对入射光进行光电转换而产生电信号的光电转换部；

布线部，所述布线部包括设有多条导线的多个绝缘中间层，所述布线部隔着绝缘膜被布置在所述半导体基板上，在所述光电转换部上方的所述布线部中设有开口；

金属焊盘，所述金属焊盘被布置在所述多个绝缘中间层之中的最上层绝缘中间层上并连接至所述多条导线之中的一条导线，所述最上层绝缘中间层仅存在于所述金属焊盘下方；

覆盖所述金属焊盘的焊盘覆层绝缘膜，在所述光电转换部上方的所述焊盘覆层绝缘膜中设有由所述焊盘覆层绝缘膜的面限定的开口，所述焊盘覆层绝缘膜中的开口与所述布线部中的开口被连续地形成从而限定具有敞开侧和封闭侧的波导开口；以及

波导材料层，所述波导材料层隔着钝化层被布置在所述波导开口中及所述焊盘覆层绝缘膜上，

其中，限定了所述焊盘覆层绝缘膜中的开口的所述焊盘覆层绝缘膜的那个面是倾斜的，该面朝着所述波导开口的敞开侧逐渐扩宽。