[发明专利]具有再分布线的TSV的背连接有效
| 申请号： | 200910150012.1 | 申请日： | 2009-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101719484A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 许国经;陈承先 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/52;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 马佑平;马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路结构，该结构包括半导体衬底，其包括一个正面和一个背面。穿透该半导体衬底的穿透硅通孔(TSV)，且该穿透硅通孔(TSV)具有延伸到该半导体衬底背面的后端。再分布线(RDL)，其位于该半导体衬底的背面之上，并连接到该TSV的该后端。该集成电路进一步包括钝化层，该钝化层位于该RDL之上；位于该钝化层中的开口，其中该RDL的一部分通过该开口暴露；以及镍层，其位于该开口中并接触该RDL。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 再分 布线 tsv 连接 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：半导体衬底，其包括一个正面和一个背面；穿透该半导体衬底的导电通孔，该导电通孔包括延伸到该半导体衬底背面的后端；再分布线(RDL)，其位于该半导体衬底的背面之上，并连接到该导电通孔的该后端；钝化层，在该RDL之上，在该钝化层中具有开口且该RDL的一部分通过该开口暴露；以及镍层，其位于该开口中并接触该RDL。
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