[发明专利]具有再分布线的TSV的背连接

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

半导体衬底，其包括一个正面和一个背面；

穿透该半导体衬底的导电通孔，该导电通孔包括延伸到该半导体衬底 背面的后端；

再分布线RDL，其位于该半导体衬底的背面之上，并连接到该导电通 孔的该后端；

钝化层，在该RDL之上，在该钝化层中具有开口且该RDL的一部分 通过该开口暴露；以及

镍层，其位于该开口中并接触该RDL。

2.根据权利要求1的集成电路结构，其中该RDL包括RDL带以及 RDL衬垫，该RDL带包括直接位于该导电通孔之上并与之接触的部分，该 RDL衬垫具有大于该RDL带的宽度，该RDL衬垫连接该RDL带，且其中 该开口仅暴露该RDL衬垫的中部。

3.根据权利要求1的集成电路结构，进一步包括位于该镍层之上的金 层。

4.根据权利要求3的集成电路结构，进一步包括在该金层和该镍层之 间并连接该金层和该镍层的钯层。

5.根据权利要求1的集成电路结构，其中该镍层包括一个顶表面，该 顶表面高于该钝化层的顶表面。

6.根据权利要求1的集成电路结构，其中该集成电路结构没有位于该 RDL之上并与之接触的衬垫，该衬垫以选自由铜和共熔焊料构成的组中的 一种材料形成。

7.根据权利要求1的集成电路结构，进一步包括：

多个穿透该半导体衬底的导电通孔；

多个位于该半导体衬底背面的RDL，其中多个该RDL中的每一个连接 到该多个导电通孔中的其中一个的后端；

多个位于该钝化层中的开口，其中通过该多个开口中的一个暴露该多 个RDL中每一个的一部分，且其中该多个开口具有相同的尺寸；以及

镍层，形成在该多个开口的每一个中，且接触该多个RDL中的一个。

8.一种集成电路结构，该结构包括：

半导体衬底，其包括一个正面和一个背面；

穿透该半导体衬底的导电通孔，该导电通孔包括延伸超过该半导体衬 底背面的后端；

再分布线RDL，其位于该半导体衬底的背面之上，并连接到该导电通 孔的该后端；该RDL包括：

接触该导电通孔的RDL带；以及

RDL衬垫，该RDL衬垫的宽度大于该RDL带，其中该RDL衬垫连接 该RDL带，

钝化层，其在该RDL之上；

在该钝化层中形成的开口，其中该RDL衬垫的中部通过该开口暴露， 且其中该钝化层覆盖该RDL衬垫的边缘部分；以及

镍层，其形成在开口中并接触该RDL衬垫开口的该中部，其中该镍层 的厚度大于该钝化层的厚度。

9.根据权利要求8的集成电路结构，其中该镍层包括顶表面，该顶表 面高于该钝化层的顶表面。

10.根据权利要求8的集成电路结构，进一步包括在该镍层之上的金 层。

11.根据权利要求10的集成电路结构，进一步包括在该金层和该镍层 之间并连接该金层和该镍层的钯层。

12.根据权利要求8的集成电路结构，其中该集成电路结构没有位于 该RDL之上并与之接触的衬垫，该衬垫以选自由铜和共熔焊料构成的组中 的一种材料形成。

13.根据权利要求8的集成电路结构，进一步包括：

多个穿透该半导体衬底的导电通孔；

多个位于该半导体衬底背面处的RDL，其中多个该RDL中的每一个连 接到该多个导电通孔中的其中一个的后端；

多个位于该钝化层中的开口，其中通过该多个开口中的一个暴露该多 个RDL中每一个的一部分，且其中该多个开口具有相同的尺寸；以及

镍层，形成在该多个开口的每一个中，且接触该多个RDL中的一个。