[发明专利]具有<110>晶体取向的经外延涂布的硅晶片及其制造方法无效
| 申请号： | 200910146616.9 | 申请日： | 2009-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101597795A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | E·道布;H·厄尔克鲁格;O·施梅尔默 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/36;B24B5/50;B28D5/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 经外延涂布的硅晶片，其包括相对于{110}晶面取向错误的面作为晶片表面，其特征在于，将<110>方向从晶片表面的法向倾斜角度θ，倾斜的<110>方向的投影与所述晶片平面内的方向<-110>形成角度，而θ通过0≤θ≤3°且45°≤≤90°(以及所有对称等价的方向)给出。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 110 晶体 取向 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、经外延涂布的硅晶片，其包括相对于(110)晶面取向错误的面作为晶片表面，其特征在于，将<110>方向从晶片表面的法向倾斜角度θ，倾斜的<110>方向的投影与所述晶片平面内的方向<-110>形成角度![]()
而θ通过0≤θ≤3°且![]()
(以及所有对称等价的方向)给出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅电子股份公司，未经硅电子股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910146616.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
