[发明专利]用于蒸发的装置、用于蒸发的坩埚和在基片上生长膜的方法有效

专利信息
申请号: 200910145324.3 申请日: 2009-06-03
公开(公告)号: CN101597748A 公开(公告)日: 2009-12-09
发明(设计)人: J·万哈塔洛 申请(专利权)人: DCA器械有限公司
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 赵培训
地址: 芬兰*** 国省代码: 芬兰;FI
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种用于蒸发的装置,包括真空腔(12)、限定基片平面(26)的基片台(2)和至少一个喷射单元(6),该喷射单元(6)包括具有容积的坩埚(7),其中所述喷射单元、坩埚和基片台设置在真空腔内。该坩埚包括第一端(14)、第二端(15)、至少一个侧壁(16)和孔隙(17)。在根据本发明的典型装置中,所述孔隙位于第一端或位于相比于到第二端更靠近第一端的侧壁中,该第二端布置为比第一端更靠近该基片平面。本发明还涉及用于蒸发的坩埚,其具有容积,包括第一端、第二端、至少一个侧壁和孔隙。本发明还涉及在基片上生长膜的方法。
搜索关键词: 用于 蒸发 装置 坩埚 基片上 生长 方法
【主权项】:
1、用于蒸发的装置,包括真空腔(12)、限定基片平面(26)的基片台(2)和至少一个喷射单元(6),该喷射单元(6)包括具有容积的坩埚(7),其中所述喷射单元、坩埚和基片台设置在所述真空腔内,该坩埚包括-第一端(14),-第二端(15),-至少一个侧壁(16),-孔隙(17),其中所述孔隙位于第一端或位于相比于到第二端更靠近第一端的侧壁内,该第二端布置为比第一端更靠近所述基片平面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于DCA器械有限公司,未经DCA器械有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910145324.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top