[发明专利]用于蒸发的装置、用于蒸发的坩埚和在基片上生长膜的方法

权利要求书

1.用于蒸发的装置，包括真空腔(12)、限定基片平面(26)的 基片台(2)和至少一个喷射单元(6)，该喷射单元(6)包括具有容 积的坩埚(7)，其中所述喷射单元和基片台设置在所述真空腔内，该 坩埚包括

-第一端(14)，

-第二端(15)，

-至少一个侧壁(16)，

-孔隙(17)，

其中所述孔隙位于相比于到第二端更靠近第一端的侧壁内，该第 二端布置为比第一端更靠近所述基片平面。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置用于分子束外延。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述坩埚(7)的形 状基本上为圆柱形，由此所述侧壁(16)为圆柱形坩埚的基本弯曲的 表面区域。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，一圆锥部(20)在坩埚主 体容积(24)外部连接到所述孔隙(17)，以将原子或分子流从坩埚(7) 导向所述基片台(2)。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，在使用时，所述圆锥部(20) 设置在所述基片台(2)之上。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，在使用时，所述圆锥部(20) 设置为向下开口指向所述基片台(2)。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，在使用时，所述圆锥部(20) 的壁设置为将整个原子或分子流以与水平面成一定角度基本向下导 向。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，至少一个坩埚(7)的侧 壁(16)形成与水平面成0°-90°的角度α。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基片台(2)为基本 水平的。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述真空腔(12)包括 至少两个喷射单元(6)。

11.根据权利要求4所述的装置，其中，一阀件(19)设置在所 述圆锥部(20)和坩埚(7)主体容积之间。

12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置包括用于将基 片(1)自动地放置到所述基片台(2)上的工具(21)。

13.根据权利要求1所述的装置，其中，在使用时，一沉积罩(22) 设置在所述基片台(2)之上。