[发明专利]一种用硒膜修饰电极测定铜离子的方法有效

专利信息
申请号: 200910144921.4 申请日: 2009-09-11
公开(公告)号: CN101650336A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 许云辉;刘新 申请(专利权)人: 安徽农业大学
主分类号: G01N27/42 分类号: G01N27/42;G01N27/30
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 代理人: 吴启运
地址: 230036安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 一种用硒膜修饰电极测定铜离子的方法,采用电化学三电极测试系统和阳极溶出微分计时电势法进行测定,以热裂解石墨为电极基质,在稀盐酸酸化介质中经Na2SeO3、Cu(II)还原共富集时形成的硒膜作为工作电极,其上共还原富集铜的硒化物Cu2Se,通过记录工作电极上电势E随测试时间T的变化函数并进行微分处理得到dT/dE→E的微分曲线,通过微分曲线上特征响应峰的高度计算Cu(II)的含量。本发明方法克服了传统汞电极的环境危害和剧毒性等缺点,并且具有测试灵敏度高,抗干扰性强,环保性好,成本低,流程短,便于操作,效率高的优点,可用于天然水质中微量或痕量铜离子的分析测定。
搜索关键词: 一种 用硒膜 修饰 电极 测定 离子 方法
【主权项】:
1.一种用硒膜修饰电极测定铜离子的方法,采用电化学三电极测试系统和阳极溶出微分计时电势法进行测定,其特征在于:以热裂解石墨为电极基质,在Na2SeO3、二价Cu共存的酸性溶液中还原共富集形成硒膜作为工作电极,其上共还原富集铜的硒化物Cu2Se,富集电位为-100mV~-500mV,富集时间为60s~420s,然后进行检测,其溶出扫描电流为+0.5μA~+5.0μA,扫描速率为20mV s-1,频率为20Hz,静止等待时间为10s~30s,通过记录工作电极上电势E随测试时间T的变化函数并进行微分处理得到dT/dE→E的微分曲线,并根据微分曲线上于+200mV~+300mV附近产生的特征响应峰高度dT/dE(s V-1)来计算铜离子含量。
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