[发明专利]对非易失性存储设备进行编程的方法无效
| 申请号： | 200910142496.5 | 申请日： | 2009-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101783177A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 金志桓;朴成济 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10;G06F12/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及对非易失性存储设备进行编程的方法。根据所述对非易失性存储设备进行编程的方法，通过向第一页施加编程脉冲来对该第一页进行编程操作。通过向所述第一页施加验证电压来对所述编程操作进行验证操作。如果针对所述第一页的编程操作未完成，则将从所述第一页的阈值电压中选择的电压设定为最高阈值电压。通过在增大编程脉冲的电压电平的同时对所述第一页重复地进行编程操作及验证操作来完成针对所述第一页的编程操作。将针对所述第一页的编程起动电压与所述验证电压和所述最高阈值电压之间的差的总和设定为针对第二页的编程起动电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 设备 进行 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种对非易失性存储设备进行编程的方法，包括：通过向第一页施加编程脉冲来对该第一页进行编程操作；通过向所述第一页施加验证电压来对所述编程操作进行验证操作；如果作为所述验证操作的结果针对所述第一页的编程操作尚未完成，则将从所述第一页的阈值电压中选择的电压设定为最高阈值电压；通过在增大所述编程脉冲的电压电平的同时对所述第一页重复地进行编程操作及验证操作来完成针对所述第一页的编程操作；将针对所述第一页的编程起动电压与所述验证电压和所述最高阈值电压之间的差的总和设定为针对第二页的编程起动电压；以及基于所设定的针对所述第二页的编程起动电压来进行针对所述第二页的编程操作。
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