[发明专利]薄膜型太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号： | 200910141975.5 | 申请日： | 2009-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101604710A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 金宰湖;洪震 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/042;H01L31/02 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，其中，薄膜型太阳能电池包括：形成在前电极上的第一抗氧化层，以及形成在第一抗氧化层上的半导体层，因此通过防止包含在前电极中的氧化剂与半导体层中的硅发生反应，可以防止在前电极和半导体层之间的接触面上形成氧化物，由此实现电池效率的提高，其中薄膜型太阳能电池的制造方法包括：在衬底上形成前电极；在前电极上形成第一抗氧化层；在第一抗氧化层上形成半导体层；以及在半导体层上形成后电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜型太阳能电池的制造方法，包括：在衬底上形成前电极；在所述前电极上形成第一抗氧化层；在所述第一抗氧化层上形成半导体层；以及在所述半导体层上形成后电极。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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