[发明专利]薄膜型太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜型太阳能电池的制造方法，包括：

在衬底上形成前电极；

在所述前电极上形成第一抗氧化层；

在所述第一抗氧化层上形成半导体层；以及

在所述半导体层上形成后电极。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在执行形成所述第一抗氧化层的工艺前，从所述前电极中除去氧化剂。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一抗氧化层由其中不含氧的材料形成。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述半导体层和所述后电极之间形成透明导电层。

5.如权利要求4所述的方法，进一步包括：

在执行形成所述透明导电层的工艺前，在所述半导体层上形成第二抗氧化层。

6.如权利要求5所述的方法，进一步包括：

在执行形成所述第二抗氧化层的工艺前，从所述半导体层中除去氧化剂。

7.一种薄膜型太阳能电池的制造方法，包括：

在衬底上形成前电极；

从所述前电极中除去氧化剂；

在除去所述氧化剂的所述前电极上形成半导体层；以及

在所述半导体层上形成后电极。

8.一种薄膜型太阳能电池的制造方法，包括：

在衬底上形成前电极；

在所述前电极上形成半导体层；

从所述半导体层中除去氧化剂；

在除去所述氧化剂的所述半导体层上形成透明导电层；以及

在所述透明导电层上形成后电极。

9.如权利要求2和6至8中任一项所述的方法，其中，除去所述氧化剂的工艺包括步骤：通过氢(H₂)等离子体处理还原所述氧化剂。

10.一种薄膜型太阳能电池的制造方法，包括：

在衬底上形成前电极；

在所述前电极上形成半导体层；

在所述半导体层上形成第二抗氧化层；

在所述第二抗氧化层上形成透明导电层；以及

在所述透明导电层上形成后电极，

其中，所述第二抗氧化层由其中不含氧的材料形成。

11.如权利要求1至6和10中任一项所述的方法，其中，形成所述第一抗氧化层或所述第二抗氧化层的工艺包括步骤：在氢(H₂)等离子体环境下采用氢化锗气体形成锗(Ge)层。

12.如权利要求1至6和10中任一项所述的方法，其中，形成所述第一抗氧化层或所述第二抗氧化层的工艺包括步骤：形成厚度在10至30之间的各个层。

13.如权利要求1至6和10中任一项所述的方法，其中，为了防止所述第一抗氧化层或所述第二抗氧化层暴露于空气中，顺序地执行形成所述第一抗氧化层或所述第二抗氧化层的工艺以及其后的工艺。

14.一种薄膜型太阳能电池，包括：

衬底上的前电极；

所述前电极上的第一抗氧化层；

所述第一抗氧化层上的半导体层；以及

所述半导体层上的后电极。

15.如权利要求14所述的薄膜型太阳能电池，其中，所述第一抗氧化层由其中不含氧的材料形成。

16.如权利要求14所述的薄膜型太阳能电池，进一步包括：

所述半导体层和所述后电极之间的透明导电层。

17.如权利要求16所述的薄膜型太阳能电池，进一步包括：

所述半导体层和所述透明导电层之间的第二抗氧化层。

18.一种薄膜型太阳能电池，包括：

衬底上的前电极；

所述前电极上的半导体层；

所述半导体层上的第二抗氧化层；

所述第二抗氧化层上的透明导电层；以及

所述透明导电层上的后电极，

其中，所述第二抗氧化层由其中不含氧的材料形成。

19.如权利要求14至18中任一项所述的薄膜型太阳能电池，其中，所述第一抗氧化层或所述第二抗氧化层形成的厚度在10至30之间。

20.如权利要求14至18中任一项所述的薄膜型太阳能电池，其中，所述第一抗氧化层或所述第二抗氧化层由锗(Ge)层形成。