[发明专利]台型半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的目的在于确立高耐压、高可靠度的台型半导体装置及其制造方法的确立，以解决因位于PN接合部PNJC处的台沟内壁的第2绝缘膜的厚度较薄而产生耐压劣化与漏电流的问题。本发明的装置及方法，是对以干蚀刻形成的台沟，再以氟酸、硝酸系等蚀刻剂对该台沟的侧壁进行湿蚀刻，由此在台沟的上部形成由突出于台沟的第1绝缘膜所构成的檐部。且利用涂布法或印刷法将绝缘膜形成于台沟内、以及以台沟为中心以形成为比檐部区域还宽广的方式将绝缘膜形成于第1绝缘膜上，而该檐部成为阻止因之后的热处理而流动性变高的绝缘膜流往台沟的底部的障壁。故能以足够厚度的绝缘膜被覆位于PN接合部PNJC处的台沟侧壁，而达耐压的确保及漏电流的降低等目的。

主权项

1.一种台型半导体装置的制造方法，包含下列步骤：准备第1导电型的半导体基板，并于前述半导体基板的表面形成相较于前述半导体基板为低浓度的第1导电型的第1半导体层的步骤；于前述第1半导体层的表面形成第2导电型的第2半导体层的步骤；形成局部性覆盖前述第2半导体层的表面的第1绝缘膜的步骤；形成从未被前述第1绝缘膜覆盖的前述第2半导体层的表面到达前述半导体基板中的台沟的第1蚀刻步骤；用以形成使前述第1绝缘膜的一部分突出于前述台沟的上部的檐部而对前述台沟所进行的第2蚀刻步骤；及形成从前述台沟内延伸至前述台沟外的前述第1绝缘膜的表面的第2绝缘膜的步骤。