[发明专利]台型半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种台型半导体装置的制造方法，包含下列步骤：

准备第1导电型的半导体基板，并于前述半导体基板的表面形成相较 于前述半导体基板为低浓度的第1导电型的第1半导体层的步骤；

于前述第1半导体层的表面形成第2导电型的第2半导体层的步骤；

形成局部性覆盖前述第2半导体层的表面的第1绝缘膜的步骤；

形成从未被前述第1绝缘膜覆盖的前述第2半导体层的表面到达前述 半导体基板中的台沟的第1蚀刻步骤；

用以形成使前述第1绝缘膜的一部分突出于前述台沟的上部的檐部而 对前述台沟所进行的第2蚀刻步骤；及

形成从前述台沟内延伸至前述台沟外的前述第1绝缘膜的表面的第2 绝缘膜的步骤，

其中，于前述第2蚀刻步骤中，前述檐部形成为阻止因于形成第2绝 缘膜的步骤中的热处理而流动性变高的前述第2绝缘膜流往前述台沟的底 部的障壁，而使前述第2绝缘膜以能够确保接合耐压的厚度被覆前述台沟 内的前述第1半导体层与前述第2半导体层的接合区域。

2.如权利要求1所述的台型半导体装置的制造方法，其中，前述第1 绝缘膜是氧化膜或氮化膜。

3.如权利要求1或2所述的台型半导体装置的制造方法，其中，前述 第2绝缘膜是由聚酰亚胺与氮化膜的层叠膜所构成。

4.如权利要求1或2所述的台型半导体装置的制造方法，其中，前述 第2绝缘膜是由有机绝缘物所构成。

5.如权利要求4所述的台型半导体装置的制造方法，其中，前述有机 绝缘物是聚酰亚胺或环氧树脂、或聚酰亚胺与环氧树脂的层叠膜、或聚酰 亚胺与有机阻剂的层叠膜。

6.一种台型半导体装置，具备：

第1导电型的半导体基板；

第1导电型的第1半导体层，接合于前述半导体基板的表面且相较于 前述半导体基板为低浓度；

第2导电型的第2半导体层，接合于前述第1半导体层的表面，与前 述第1半导体层共同形成PN接合部；

第1绝缘膜，局部性地覆盖前述第2半导体层的表面；

台沟，从未被前述第1绝缘膜覆盖的前述第2半导体层的表面到达前 述半导体基板中；

檐部，以令前述第1绝缘膜的一部分突出于前述台沟的上部的方式形 成；及

第2绝缘膜，从前述台沟内延伸至前述台沟外的前述第1绝缘膜的表 面，

其中，前述檐部形成为阻止因热处理而流动性变高的前述第2绝缘膜 流往前述台沟的底部的障壁，而使被覆前述PN接合部的前述第2绝缘膜 是以能够确保预定耐压的厚度来形成。

7.如权利要求6所述的台型半导体装置，其中，前述第1绝缘膜是氧 化膜或氮化膜。

8.如权利要求6或7所述的台型半导体装置，其中，前述第2绝缘膜 是由聚酰亚胺与氮化膜的层叠膜所构成。

9.如权利要求6或7所述的台型半导体装置，其中，前述第2绝缘膜 是由有机绝缘物所构成。

10.如权利要求9所述的台型半导体装置，其中，前述有机绝缘物是 聚酰亚胺或环氧树脂、或聚酰亚胺与环氧树脂的层叠膜、或聚酰亚胺与有 机阻剂的层叠膜。