[发明专利]半导体器件

摘要

主要半导体元件的表面结构和第一P阱24b位于N^-漂移层23的主表面中。温度检测二极管22由位于第一P阱24b中的N阱25中的P⁺阳极区26以及位于P⁺阳极区26中的N⁺阴极区27构成，以使得温度检测二极管22通过结与主要半导体元件隔离。第一P阱24b具有足够高的浓度和足够的深度以使得由寄生晶闸管引起的闩锁击穿能够被阻止。N阱25和P⁺阳极区26短路以阻止由寄生晶闸管引起的闩锁击穿。温度检测二极管22′位于N^-漂移层23′的第一主表面中的第一P阱24b′中的N阱25′中。主要半导体元件位于N^-漂移层23′中。温度检测二极管22′通过结与主要半导体元件隔离。第一P阱24b′具有足够高的浓度和足够的深度以使得由寄生晶闸管引起的闩锁击穿能够被阻止。N阱25′的一侧被具有比第一P阱24b′浓度高的P⁺高浓度区28′围绕，以使得横向npn晶体管的激活能够被抑制。结果，可以提供一种装备有主要半导体元件和温度检测元件的半导体器件，其中：温度检测元件的温度特性能够与主要半导体元件的元件状态无关而保持不变；能够获得高闩锁容限；以及获得高温度检测精度。

主权项

1.一种半导体器件，其装备有主要半导体元件和用于检测所述主要半导体元件的温度的温度检测元件，包括：第一导电类型的第一半导体层，其具有用以提供所述主要半导体元件的表面结构的主表面；第二导电类型的第二半导体区，其与所述主要半导体元件的表面结构隔开并且选择性地位于所述第一半导体层的主表面中；第一导电类型的第三半导体区，其位于所述第二半导体区中；第二导电类型的第四半导体区，其位于所述第三半导体区中；以及第一导电类型的第五半导体区，其位于所述第四半导体区中；其中：所述第三半导体区与所述第四半导体区电连接；以及所述温度检测单元形成为二极管，其将所述第四半导体区用作阳极和阴极中的一个，并且将所述第五半导体区用作所述阳极和阴极中的另一个。