[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其装备有主要半导体元件和用于检测所述主要半导体 元件的温度的温度检测元件，包括：

第一导电类型的第一半导体层，其具有用以提供所述主要半导体元件的表 面结构的主表面；

第二导电类型的第二半导体区，其与所述主要半导体元件的表面结构隔开 并且选择性地位于所述第一半导体层的主表面中；

第一导电类型的第三半导体区，其位于所述第二半导体区中；

第二导电类型的第四半导体区，其位于所述第三半导体区中；以及

第一导电类型的第五半导体区，其位于所述第四半导体区中；其中：

所述第三半导体区与所述第四半导体区电连接；以及

所述温度检测单元形成为二极管，其将所述第四半导体区用作阳极和阴极 中的一个，并且将所述第五半导体区用作所述阳极和阴极中的另一个。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二半导体区与 所述主要半导体元件的电极电绝缘。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二半导体区连 接到所述主要半导体元件的接地电极。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所 述第二半导体区被沟槽围绕。

5.一种半导体器件，其装备有主要半导体元件和用于检测所述主要半导体 元件的温度的温度检测元件，包括：

第一导电类型的第一半导体层，其形成所述主要半导体元件；

第二导电类型的第二半导体区，其位于所述第一半导体层中；

第一导电类型的第三半导体区，其位于所述第二半导体区中；以及

第二导电类型的第四半导体区，其位于所述第三半导体区中；其中：

温度检测单元位于通过PN结与所述第一半导体层隔离的一个区中；以及

所述温度检测单元形成为二极管，其将所述第三半导体区用作阴极和阳极 中的一个，并且将所述第四半导体区用作所述阴极和阳极中的另一个。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第二半导体区电 浮置。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括：第二导 电类型的第五半导体区，其围绕所述第三半导体区的一侧并且具有比第二半导 体区更高的浓度。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第二半导体区具 有与所述主要半导体元件发射极和源极中的一个的电势相同的电势。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第三半导体区被 比所述第三半导体区更深的沟槽围绕。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，导体通过绝缘膜嵌 入沟槽中，以使得所述导体具有与所述阴极相同的电势。

11.根据权利要求5至10中的任意一项所述的半导体器件，其特征在于， 所述阳极和阴极被空穴抽取区所围绕。