[发明专利]光电转换装置的制造方法

摘要

所公开的本发明的目的之一在于在有效地利用有限的资源的同时安全地提供具有优越的光电转换特性的光电转换装置。在所公开的本发明中，在单晶半导体衬底中形成脆化层，并且在单晶半导体衬底的一个表面上形成第一杂质半导体层、第一电极以及绝缘层；通过在将绝缘层和支撑衬底贴紧来将单晶半导体衬底和支撑衬底贴在一起后，在脆化层中分离单晶半导体衬底，形成包括第一单晶半导体层的叠层体；在第一单晶半导体层上形成第一半导体层及第二半导体层；通过固相成长，提高第一半导体层及第二半导体层的结晶度，来形成第二单晶半导体层；在第二单晶半导体层上形成具有与第一杂质半导体层相反的导电型的第二杂质半导体层；在第二杂质半导体层上形成第二电极。

主权项

1.一种光电转换装置的制造方法，包括如下步骤：在单晶半导体衬底上形成第一杂质半导体层；对所述单晶半导体衬底照射离子以在所述单晶半导体衬底中形成脆化层；在所述第一杂质半导体层上形成第一电极；在所述第一电极上形成绝缘层；将所述绝缘层和支撑衬底贴紧来将所述单晶半导体衬底和所述支撑衬底贴在一起，然后，沿着所述脆化层分离所述单晶半导体衬底，从而在所述支撑衬底上提供包括所述绝缘层、所述第一电极、所述第一杂质半导体层及第一单晶半导体层的叠层体；在所述第一单晶半导体层上形成第一半导体层；在与所述第一半导体层不同的条件下在所述第一半导体层上形成第二半导体层；通过固相成长来提高所述第一半导体层及所述第二半导体层的结晶度，以形成第二单晶半导体层；在所述第二单晶半导体层上形成具有与所述第一杂质半导体层相反的导电型的第二杂质半导体层；以及在所述第二杂质半导体层上形成第二电极。