[发明专利]光电转换装置的制造方法

权利要求书

1.一种光电转换装置的制造方法，包括如下步骤：

在单晶半导体衬底上形成第一杂质半导体层；

对所述单晶半导体衬底照射离子以在所述单晶半导体衬底中形 成脆化层；

在所述第一杂质半导体层上形成第一电极；

在所述第一电极上形成绝缘层；

将所述绝缘层和支撑衬底贴紧来将所述单晶半导体衬底和所述 支撑衬底贴在一起，然后，沿着所述脆化层分离所述单晶半导体衬底， 从而在所述支撑衬底上提供包括所述绝缘层、所述第一电极、所述第 一杂质半导体层及第一单晶半导体层的叠层体；

在所述第一单晶半导体层上形成第一半导体层；

在与所述第一半导体层不同的条件下在所述第一半导体层上形 成第二半导体层；

通过进行热处理，经由固相成长来提高所述第一半导体层及所述 第二半导体层的结晶度，以形成第二单晶半导体层；

在所述第二单晶半导体层上形成具有与所述第一杂质半导体层 相反的导电型的第二杂质半导体层；以及

在所述第二杂质半导体层上形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，其中所述第 一半导体层及所述第二半导体层被形成为所述第一半导体层的结晶度 高于所述第二半导体层的结晶度。

3.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，其中所述第 一半导体层及所述第二半导体层被形成为所述第一半导体层的氢浓度 低于所述第二半导体层的氢浓度。

4.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，其中将所述 第一半导体层形成为10nm至50nm厚。

5.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，其中

使用由包含氢的原料气体产生的离子作为所述离子。

6.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，其中所述第 一单晶半导体层及所述第二单晶半导体层被形成为所述第一单晶半导 体层及所述第二单晶半导体层的膜厚度之和为800nm以上。

7.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，其中所述第 一杂质半导体层是p型杂质半导体层，并且所述第二杂质半导体层是 n型杂质半导体层。

8.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，其中所述第 一半导体层通过氢气体对硅烷类气体的流量比为50倍以上的等离子 体化学气相成长法来形成。

9.根据权利要求8所述的光电转换装置的制造方法，其中所述硅 烷类气体是硅烷或乙硅烷。

10.根据权利要求8或9所述的光电转换装置的制造方法，其中 所述等离子体化学气相成长法在从1Pa到10³Pa的压力下进行。

11.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，其中所述 第一杂质半导体层和所述第二杂质半导体层通过离子注入法或离子掺 杂法来形成。

12.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，其中对所 述第一单晶半导体层照射激光束以修复或去掉包括在所述第一单晶半 导体层中的晶体缺陷。

13.根据权利要求1所述的光电转换装置的制造方法，其中利用 快速热退火来进行所述热处理。