[发明专利]形成集成电路结构的方法有效
| 申请号： | 200910135474.6 | 申请日： | 2009-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101593718A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 冯家馨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成集成电路结构的方法，该方法包括提供半导体基底，于半导体基底中形成第一绝缘区，在形成第一绝缘区后，于半导体基底的表面形成金属氧化物半导体元件，其中形成金属氧化物半导体元件的步骤包括形成源极/漏极区，以及在形成金属氧化物半导体元件后，于半导体基底中形成第二绝缘区。本发明借着采取两阶段形成浅沟槽绝缘区，对于邻近浅沟槽绝缘区的金属氧化物半导体元件所造成的不利应力可减小，掺杂浓度的变动也可减小。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 集成电路 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路结构的方法，包括：提供一半导体基底；于该半导体基底中形成一第一绝缘区；在形成该第一绝缘区后，于该半导体基底的一表面形成一金属氧化物半导体元件，其中形成该金属氧化物半导体元件的步骤包括形成一源极/漏极区；以及在形成该金属氧化物半导体元件后，于该半导体基底中形成一第二绝缘区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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