[发明专利]等离子体产生设备、沉积设备和沉积方法无效

专利信息
申请号: 200910134888.7 申请日: 2009-04-15
公开(公告)号: CN101560643A 公开(公告)日: 2009-10-21
发明(设计)人: 中河原均;佐佐木雅夫;森胁崇行;斋藤友康 申请(专利权)人: 佳能安内华股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/08;H05H1/46
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 张 涛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种等离子体产生设备、沉积设备和沉积方法,其从等离子体枪(20)发射等离子体束(25)并且之后通过布置成将等离子体束(25)夹在中间的一对相对的第一磁体(27、29)而使发射的等离子体束(25)变形。该等离子体产生设备包括布置在等离子体枪(20)和第一磁体(27、29)之间的至少一个第二磁体(11),第二磁体包括等离子体束(25)通过的孔(12)以及从孔沿着与等离子体束(25)垂直的方向向外延伸的磁体部分,并且形成具有从孔(12)到达外部或者从外部到达孔(12)的磁力线的磁场。至少一个第二磁体(11)使发射的等离子体束集中。
搜索关键词: 等离子体 产生 设备 沉积 方法
【主权项】:
1.一种等离子体产生设备,其从等离子体枪发射等离子体束并且之后通过布置成将所述等离子体束夹在中间的一对相对的第一磁体而使所发射的等离子体束变形,所述等离子体产生设备包括:布置在所述等离子体枪和所述第一磁体之间的至少一个第二磁体,所述至少一个第二磁体包括所发射的等离子体束通过的孔以及从所述孔沿着与所发射的等离子体束垂直的方向向外延伸的磁体部分,并且所述至少一个第二磁体形成的磁场包括从所述孔到达外部或者从外部到达所述孔的磁力线,其中所述至少一个第二磁体使所发射的等离子体束集中。
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