[发明专利]等离子体产生设备、沉积设备和沉积方法

权利要求书

1.一种等离子体产生设备，其从等离子体枪发射等离子体束并且之后通过布置成将所述等离子体束夹在中间的一对相对的第一磁体而使所发射的等离子体束变形，所述等离子体产生设备包括：

布置在所述等离子体枪和所述第一磁体之间的至少一个第二磁体，所述至少一个第二磁体包括所发射的等离子体束通过的孔以及从所述孔沿着与所发射的等离子体束垂直的方向向外延伸的磁体部分，并且所述至少一个第二磁体形成的磁场包括从所述孔到达外部或者从外部到达所述孔的磁力线，

其中所述至少一个第二磁体使所发射的等离子体束集中。

2.根据权利要求1所述的等离子体产生设备，其中所述第二磁体包括形成为使得在所述孔中具有相同磁极的环形永久磁体和环形电磁体之一。

3.根据权利要求1所述的等离子体产生设备，其中所述第二磁体由冷却剂流过的传导构件支承。

4.一种用于在沉积靶上形成膜的沉积设备，其包括根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体产生设备。

5.一种使用根据权利要求4所述的沉积设备在沉积靶上形成膜的沉积方法。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所形成的膜包括MgO膜。