[发明专利]制造半导体器件的工艺及通过该工艺制造的半导体器件无效
| 申请号： | 200910132971.0 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101552218A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 猪俣辉司 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造半导体器件的工艺及通过该工艺制造的半导体器件。确定树脂基板11中的水含量的时间变化的操作(S1)；通过多个导电凸块B将半导体元件12耦合在树脂基板11上操作(S3)；在通过所述凸块保持耦合的同时，通过加热所述树脂基板和所述半导体元件，控制树脂基板11的水含量等于或低于0.02％的第一加热操作(S6)；以及在通过所述凸块保持耦合的同时，通过加热所述树脂基板和所述半导体元件，控制树脂基板11的水含量等于或低于0.02％的第一加热操作(S6)；以及在树脂基板11中的水含量等于或低于0.02％的条件下，用树脂15填充由半导体元件12、树脂基板11和焊料凸块B形成的空间(S7)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 工艺 通过 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的工艺，所述器件包括树脂基板和在所述树脂基板上安装的半导体元件，所述工艺，包括：通过所述树脂基板之上的多个导电凸块，将所述树脂基板与所述半导体元件电耦合；在保持所述基板通过所述凸块与所述半导体元件的耦合的同时，通过加热所述树脂基板和所述半导体元件，控制所述树脂基板的水含量等于或低于0.02％；以及用树脂填充由所述半导体元件、所述树脂基板和所述凸块围绕的空间，并且固化所述树脂，其中，所述的用树脂填充所述空间并且固化所述树脂包括：在所述树脂基板的水含量等于或低于0.02％的条件下来用所述树脂填充所述空间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
