[发明专利]制造半导体器件的工艺及通过该工艺制造的半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的工艺，所述器件包括树脂基板和在所述树脂基板上安装的半导体元件，所述工艺，包括：

通过所述树脂基板之上的多个导电凸块，将所述树脂基板与所述半导体元件电耦合；

在保持所述基板通过所述凸块与所述半导体元件的耦合的同时，通过加热所述树脂基板和所述半导体元件，控制所述树脂基板的水含量等于或低于0.02％；以及

用树脂填充由所述半导体元件、所述树脂基板和所述凸块围绕的空间，并且固化所述树脂，

其中，所述的用树脂填充所述空间并且固化所述树脂包括：在所述树脂基板的水含量等于或低于0.02％的条件下来用所述树脂填充所述空间，

并且所述工艺还包括：

确定所述树脂基板的水含量的时间变化；

确定在所述的控制水含量中所采用的加热温度时的所述树脂基板的水含量与加热时间的关系；以及

通过加热所述树脂基板和所述半导体元件，来对于所述树脂基板和所述半导体元件进行脱气，以去除由所述树脂基板的成分得到的气体，在所述的通过所述树脂基板上的所述多个导电凸块来电耦合所述树脂基板与所述半导体元件之后并且在所述的控制水含量之前执行对于所述树脂基板和所述半导体元件所进行的所述脱气；

其中，确定从对于所述树脂基板和所述半导体元件所进行的所述脱气的结束至所述控制水含量的开始时所经过的时间，并且，基于所述树脂基板的水含量的时间变化来确定紧接在所述控制水含量之前时的所述树脂基板的水含量，以及

其中，基于所述确定的水含量，以及基于在所述控制水含量中的加热温度时所述树脂基板的水含量与加热时间之间的关系，来限定在所述控制水含量中的加热时间，以使得在所述控制水含量中，所述树脂基板的水含量被提供为等于或低于0.02％。

2.如权利要求1所述的制造半导体器件的工艺，还包括：

在用所述树脂填充由所述半导体元件、所述树脂基板和所述凸块围绕的空间之后，通过加热所述半导体元件、所述树脂基板、所述凸块和所述树脂来固化所述树脂，

其中，在对于所述树脂基板和所述半导体元件所进行的所述脱气中的加热温度高于在所述控制水含量中的加热温度以及高于在所述固化所述树脂中的加热温度。

3.如权利要求1所述的制造半导体器件的工艺，其中，

在所述树脂基板的表面中形成与所述凸块相耦合的焊料部，并且所述凸块和所述焊料部由无铅焊料形成。

4.如权利要求1所述的制造半导体器件的工艺，其中，

所述凸块的相邻对之间的距离等于或小于200μm。

5.如权利要求1所述的半导体器件的工艺，其中，

所述树脂基板是由交替地设置的绝缘层和导体互连层构成的堆积基板，并且所述树脂基板在该基板的表面中具有带有开口的绝缘膜，所述绝缘层包含树脂。

6.一种半导体器件，所述半导体器件是由权利要求1所述的制造半导体器件的工艺制造的。