[发明专利]穿通电极、电路板、半导体封装及堆叠半导体封装无效
| 申请号： | 200910132131.4 | 申请日： | 2009-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101567345A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 裵汉儁;金钟薰 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/13;H01L23/488;H01L23/482;H01L23/52;H01L25/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种穿通电极、电路板、半导体封装及堆叠半导体封装。该堆叠半导体封装包括具有第一半导体芯片的第一半导体封装，该第一半导体芯片具有第一焊垫和穿过对应于焊垫的部分的穿通孔；设置在第一半导体封装上方并包括第二半导体芯片的第二半导体封装，该第二半导体芯片具有设置在对应于第一焊垫的部分处并阻挡穿通孔的第二焊垫；以及设置在穿通孔内的穿通电极，具有被第二焊垫支撑的柱状芯、设置在芯的表面之上并与第二焊垫电连接的穿通电极单元、插设在芯和穿通电极单元之间的第一金属层以及插设在第一半导体芯片的由穿通孔形成的内表面与穿通电极单元之间的第二金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 通电 电路板 半导体 封装 堆叠 | ||
【主权项】：
1.一种穿通电极，包括：芯，设置在穿过部件形成的穿通孔内；穿通电极单元，覆盖所述芯；第一金属层，插设在所述芯和所述穿通电极单元之间；以及第二金属层，形成在所述穿通电极单元之上。
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