[发明专利]穿通电极、电路板、半导体封装及堆叠半导体封装

权利要求书

1.一种穿通电极，包括：

芯，设置在穿过部件形成的穿通孔内；

穿通电极单元，覆盖所述芯；

第一金属层，插设在所述芯和所述穿通电极单元之间；以及

第二金属层，形成在所述穿通电极单元之上，

其中所述穿通电极单元包括比所述第一金属层低的熔化温度的焊料。

2.根据权利要求1所述的穿通电极，其中所述芯包括绝缘体和金属中的 任一种。

3.根据权利要求1所述的穿通电极，其中所述芯的横向截面区域是圆 形、多边形或轮廓不规则的形状。

4.根据权利要求1所述的穿通电极，其中所述第一金属层和所述第二金 属层分别包括金属种子层、金层和镍层中的至少之一。

5.一种电路板，包括：

板体，具有第一面和在所述第一面的相反侧的第二面，其中穿通孔形成 在所述第一面和所述第二面之间；

第一互连，在所述第一面上或上方，在所述第一面上设置到所述穿通孔 的开口；

第二互连，在所述第二面上或上方，在所述第二面上设置到所述穿通孔 的开口；以及

穿通电极，用于提供所述电路板和安装在所述电路板上的可封装部件之 间的电连接或者安装在所述电路板上的任何两个或多个堆叠的可封装部件 之间的电连接，所述穿通电极包括：

芯，在所述穿通孔中沿纵向方向伸长；

穿通电极单元，至少覆盖伸长的所述芯的纵向表面，其中至少通过所 述穿通电极单元形成导电通路；

第一金属层，插设在所述芯和所述穿通电极单元之间；以及

第二金属层，形成在所述穿通电极单元上方，

其中所述穿通电极单元包括比所述第一金属层低的熔化温度的焊料。

6.一种半导体封装，包括：

半导体芯片，具有穿过所述半导体芯片形成的穿通孔；以及

穿通电极，包括：

芯，在所述穿通孔中沿纵向方向伸长；

穿通电极单元，至少覆盖伸长的所述芯的纵向表面，其中至少通过所 述穿通电极单元形成导电通路；

第一金属层，插设在所述芯和所述穿通电极单元之间；以及

第二金属层，形成在所述穿通电极单元上方，

其中所述穿通电极单元包括比所述第一金属层低的熔化温度的焊料。

7.根据权利要求6所述的半导体封装，还包括：

焊垫，设置在所述穿通电极的外围并电连接到所述穿通电极单元。

8.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述芯包括绝缘体和金属中 的任一种。

9.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述芯的横向截面区域是圆 形、多边形或轮廓不规则的形状。

10.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述芯的表面和所述穿通 孔的表面之间的间隔的径向距离是均匀的。

11.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述第一金属层和所述第 二金属层的每个包括金属种子层、金层和镍层中的至少一个。

12.一种堆叠半导体封装，包括：

第一半导体封装，具有第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有第一 焊垫，其中穿通孔穿过所述第一半导体芯片和所述第一焊垫形成；

第二半导体封装，具有第二半导体芯片，所述第二半导体芯片具有第二 焊垫，其中所述第二半导体封装设置在所述第一半导体封装上并且所述第二 焊垫阻挡所述穿通孔；以及

穿通电极，包括：

芯，在所述穿通孔中沿纵向方向伸长；

穿通电极单元，至少覆盖伸长的所述芯的纵向表面，其中至少通过所

述穿通电极单元形成导电通路；

第一金属层，插设在所述芯和所述穿通电极单元之间；以及

第二金属层，形成在所述穿通电极单元上方，

其中所述穿通电极单元包括比所述第一金属层低的熔化温度的焊料。