[发明专利]宽引线框架半导体封装制造装置及半导体封装形成方法无效

专利信息
申请号: 200910132098.5 申请日: 2009-04-17
公开(公告)号: CN101567307A 公开(公告)日: 2009-10-28
发明(设计)人: 黄善夏 申请(专利权)人: STS半导体通信株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/60;H01L21/68;H01L21/677
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 陈瑞丰
地址: 韩国忠清*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于制造半导体封装的装置包括:引导轨,沿正向和反向传送引线框架,该引线框架具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面;加载部分,连接到引导轨的端部,向引导轨提供引线框架;框架驱动部分,连接到引导轨的所述端部的相对端部,绕第一表面的法向旋转引线框架;和导线键合部分,使用导线键合,将引线框架与附接到提供给引导轨的引线框架上的半导体芯片电连接。
搜索关键词: 引线 框架 半导体 封装 制造 装置 形成 方法
【主权项】:
1.一种用于制造半导体封装的装置,该装置包括:引导轨,沿正向和反向传送引线框架,该引线框架具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面;加载部分,连接到引导轨的端部,向引导轨提供引线框架;框架驱动部分,连接到引导轨的所述端部的相对端部,绕第一表面的法向旋转引线框架;和导线键合部分,使用导线键合,将引线框架与附接到提供给引导轨的引线框架上的半导体芯片电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于STS半导体通信株式会社,未经STS半导体通信株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910132098.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top