[发明专利]具有抗突波与静电的发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200910131532.8 | 申请日： | 2009-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101859831A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 黄国钦;潘锡明;简奉任 | 申请（专利权）人： | 裕星企业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 中国香港特别行政区湾仔*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有抗突波与静电的发光二极管及其制造方法，其结构包含一个基板、一个N型半导体层、一个P型半导体层、一个主动层、一个第一透明导电层、一个氧化层、一个绝缘层、一个第二透明导电层、一个正电极与一个负电极。其中正电极经第一透明导电层、P型半导体层、主动层与N型半导体层至负电极形成一个第一路径供一个电压通过，以及负电极经氧化层与第二透明导电层至正电极形成一个第二路径供一个电流通过，当偏压电压超过发光二极管的操作电压时，将使突波电流从负电极经第二路径传导至正电极或从正电极经第二路径传导至负电极，以提供二极管具有更好的抗突波与静电的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 抗突波 静电 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有抗突波与静电的发光二极管，其特征在于，包含有：一个基板；一个N型半导体层，设置于该基板上；一个主动层，设置于部分该N型半导体层上；一个P型半导体层，设置于该主动层上；一个第一透明导电层，设置于部分该P型半导体层上；一个绝缘层，自部分该N型半导体层上覆盖至部分该P型半导体层上；一个氧化层，设置于部分该第一透明导电层与部分该P型半导体层上，并连接该绝缘层；一个第二透明导电层，设置于该绝缘层上与部分该氧化层上；一个正电极，设置于部分该第一透明导电层上；以及一个负电极，设置于部分该N型半导体层上，并连接该第二透明导电层；其中，当该正电极与该负电极接收超过该发光发光二极管的操作电压的一个第二偏压电压时，将驱使该第二偏压电压所衍生的突波电流从该正电极经该第一透明导电层、该氧化层与该第二透明导电层传导至该负电极或从该负电极经该第二透明导电层、该氧化层与该第一透明导电层传导至该正电极，以导出而消除突波与静电效应。
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