[发明专利]具有抗突波与静电的发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种具有抗突波与静电的发光二极管，其特征在于，包含有：

一个基板；

一个N型半导体层，设置于该基板上；

一个主动层，设置于部分该N型半导体层上；

一个P型半导体层，设置于该主动层上；

一个第一透明导电层，设置于部分该P型半导体层上；

一个绝缘层，自部分该N型半导体层上覆盖至部分该P型半导体层上；

一个氧化层，设置于部分该第一透明导电层与部分该P型半导体层上，并连接该绝缘层；

一个第二透明导电层，设置于该绝缘层上与部分该氧化层上；

一个正电极，设置于部分该第一透明导电层上；以及

一个负电极，设置于部分该N型半导体层上，并连接该第二透明导电层；

其中，当该正电极与该负电极接收超过该发光发光二极管的操作电压的一个第二偏压电压时，将驱使该第二偏压电压所衍生的突波电流从该正电极经该第一透明导电层、该氧化层与该第二透明导电层传导至该负电极或从该负电极经该第二透明导电层、该氧化层与该第一透明导电层传导至该正电极，以导出而消除突波与静电效应。

2.根据权利要求1所述的具有抗突波与静电的发光二极管，其特征在于，该正电极与该负电极一旦接收符合该发光发光二极管之操作电压的一个第一偏压电压时，将驱使该第一偏压电压所衍生的一个工作电流从该正电极经该第一透明导电层、该P型半导体层、该主动层与该N型半导体层传导至该负电极后导出。

3.根据权利要求1所述的具有抗突波与静电的发光二极管，其特征在于，该氧化层的材料为选自于二氧化硅、一氧化硅、四氮化硅、氮化物、非晶体半导体、非结晶体半导体、氧化锌、氧化镍、二氧化钛、氧化物、变阻材料、压电材料、铁电材料、陶瓷材料及上述任意组合的其中之一。

4.根据权利要求1所述的具有抗突波与静电的发光二极管，其特征在于，该绝缘层的材料选自于二氧化硅、一氧化硅、四氮化硅、氮化物、非晶体半导体及非结晶体半导体的其中之一。

5.根据权利要求1所述的具有抗突波与静电的发光二极管，其特征在于，该基板的材料为选自于Al2O3、SiC、GaAs、GaN、AlN、GaP、Si、ZnO及MnO、Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ族、Ⅳ-Ⅳ族及上述任意组合的其中之一。

6.根据权利要求1所述的具有抗突波与静电的发光二极管，其特征在于，该N型半导体层的材料为氮化镓系半导体可为选自于AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所构成材料群组中的一种材料。

7.根据权利要求1所述的具有抗突波与静电的发光二极管，其特征在于，该P型半导体层的材料为氮化镓系半导体可为选自于AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所构成材料群组中的一种材料。

8.根据权利要求1所述的具有抗突波与静电的发光二极管，其特征在于，该第一透明导电层的材料为选自于Ni/Au、氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡及透明导电黏剂所组成材料群组中的至少一种材料。

9.根据权利要求1所述的具有抗突波与静电的发光二极管，其特征在于，该第二透明导电层的材料为选自于Ni/Au、氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡及透明导电黏剂所组成材料群组中的至少一种材料。

10.一种具有抗突波与静电的发光二极管制造方法，其特征在于，包含有：

提供一个基板；

形成一N型半导体层于该基板上；

形成一个主动层于部分该N型半导体层上；

形成一个P型半导体层于该主动层上；

形成一个第一透明导电层于部分该P型半导体层上；

在部分该N型半导体层上形成一个绝缘层至部分该P型半导体上；

形成一个氧化层于部分该第一透明导电层上与部分该P型半导体上；

连接该氧化层至该绝缘层；

形成一个第二透明导电层于部分该氧化层上与该绝缘层上；以及

分别形成一个正电极与一个负电极在部分该第一透明导电层上与部分该N型半导体层上，并连接该负电极至该第二透明导电层。

11.根据权利要求10所述的具有抗突波与静电的发光二极管制造方法，其特征在于，在连接该氧化层至该绝缘层的步骤中，更包含覆盖该氧化层于部分该绝缘层上的步骤。