[发明专利]发光二极管芯片无效
| 申请号： | 200910131531.3 | 申请日： | 2009-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101859830A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 武良文;陈铭胜;简奉任 | 申请（专利权）人： | 璨扬投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 中国香港湾仔皇后大*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片，包括基板、半导体层、微粗化层、第一电极及第二电极。半导体层位于基板上，且微粗化层设置于半导体层内、半导体层与基板之间，或是设置于半导体层的上表面。第一电极及第二电极均位于半导体层上，其中第一电极与第二电极电绝缘。本发明的发光二极管芯片具有较佳的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，其特征是：包括：基板；半导体层，位于基板上；微粗化层，设置于半导体层内；第一电极，位于半导体层上；以及第二电极，位于半导体层上，其中第一电极与第二电极电绝缘。
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