[发明专利]发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征是：包括：

基板；

半导体层，位于基板上；

微粗化层，设置于半导体层内；

第一电极，位于半导体层上；以及

第二电极，位于半导体层上，其中第一电极与第二电极电绝缘。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征是：半导体层包括：

第一型掺杂半导体层，位于基板上；

发光层，设置于第一型掺杂半导体层的部分区域上；以及

第二型掺杂半导体层，设置于发光层上，其中第一电极与第一型掺杂半导体层电连接，且第二电极与第二型掺杂半导体层电连接。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征是：微粗化层位于第一型掺杂半导体层内。

4.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征是：微粗化层位于第一型掺杂半导体层与发光层之间。

5.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征是：微粗化层位于该发光层内。

6.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征是：微粗化层位于发光层与第二型掺杂半导体层之间。

7.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征是：微粗化层位于第二型掺杂半导体层内。

8.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征是：第一型掺杂半导体层为n型半导体层，而第二型掺杂半导体层为p型半导体层。

9.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征是：第一型掺杂半导体层包括：

缓冲层，位于基板上；

第一接触层，位于缓冲层上；以及

第一束缚层，位于第一接触层上。

10.根据权利要求9所述的发光二极管芯片，其特征是：微粗化层位于缓冲层与第一接触层之间。

11.根据权利要求9所述的发光二极管芯片，其特征是：微粗化层位于第一接触层与第一束缚层之间。

12.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征是：第二型掺杂半导体层包括：

第二束缚层，位于发光层上；以及

第二接触层，位于第二束缚层上。

13.根据权利要求12所述的发光二极管芯片，其特征是：微粗化层位于第二束缚层与第二接触层之间。

14.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征是：微粗化层包括氮化硅层或氮化镁层。

15.根据权利要求14所述的发光二极管芯片，其特征是：氮化硅层或氮化镁层包括多个随机分布的屏蔽图案。

16.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征是：微粗化层包括：

多层氮化硅层或多层氮化镁层；以及

多层氮化铟镓层，其中上述氮化硅层或氮化镁层与上述氮化铟镓层彼此交互堆叠。

17.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征是：微粗化层包括：

多层氮化硅层或多层氮化镁层；以及

多层氮化铝铟镓层，其中上述氮化硅层或氮化镁层与上述氮化铝铟镓层彼此交互堆叠。

18.一种发光二极管芯片，其特征是：包括：

基板；

半导体层，位于基板上；

第一电极，位于半导体层上；

第二电极，位于半导体层上，其中第一电极与第二电极电绝缘；以及

微粗化层，设置于半导体层与基板之间，或设置于半导体层的上表面。

19.根据权利要求18所述的发光二极管芯片，其特征是：该微粗化层包括氮化硅层或氮化镁层。

20.根据权利要求19所述的发光二极管芯片，其特征是：氮化硅层或氮化镁层包括多个随机分布的屏蔽图案。

21.根据权利要求18所述的发光二极管芯片，其特征是：微粗化层包括：

多层氮化硅层或多层氮化镁层；以及

多层氮化铟镓层，其中上述氮化硅层或氮化镁层与上述氮化铟镓层彼此交互堆叠。

22.根据权利要求18所述的发光二极管芯片，其特征是：该微粗化层包括：

多层氮化硅层或多层氮化镁层；以及

多层氮化铝铟镓层，其中上述氮化硅层或氮化镁层与上述氮化铝铟镓层彼此交互堆叠。