[发明专利]快闪存储器的工艺及应用于快闪存储器的绝缘结构

摘要

本发明提供一种快闪存储器的制作方法及一种应用在快闪存储器的绝缘结构，其特征在于形成一个T字状的浅沟槽隔离，此浅沟槽隔离具有一个加宽的帽盖层覆盖于基底以及一个渐缩的底部嵌入基底。此T字状的浅沟槽隔离的优点在于其加宽的帽盖层可以在形成快闪存储器的浮置栅极侧翼的时候，提供较大的工艺宽裕度以提升产品良率。

主权项

一种快闪存储器的制作方法，包含：提供一基底，该基底表面依序覆盖一第一介电层、一第一导电层、一第一掩模层和一第二掩模层；于该第二掩模层、该第一掩模层、该第一导电层、该第一介电层和该基底中，形成一第一沟槽，其中设于该第二导电层中的部分该第一沟槽具有一第一宽度，而设于该第一介电层、该第一导电层、该第一掩模层和该基底中的部分该第一沟槽具有一第二宽度，其中该第一宽度大于该第二宽度；以一绝缘材料填满该第一沟槽，且该绝缘材料的上表面与该第二掩模层的上表面切齐；移除该第二掩模层以及部分该第一掩模层，暴露出该第一导电层；形成一第二导电层覆盖该第一导电层和该绝缘材料；在该第二导电层中形成一第二沟槽，并暴露该绝缘材料的上表面；形成一第二介电层顺应地覆盖该第二沟槽表面和该第二导电层表面；以及形成一第三导电层覆盖该第二介电层并且填满该第二沟槽。