[发明专利]快闪存储器的工艺及应用于快闪存储器的绝缘结构

权利要求书

1.一种快闪存储器的制作方法，包含：

提供一基底，该基底表面依序覆盖一第一介电层、一第一导电层、一第一掩模层和一第二掩模层；

于该第二掩模层、该第一掩模层、该第一导电层、该第一介电层和该基底中，形成一第一沟槽，其中设于该第二导电层中的部分该第一沟槽具有一第一宽度，而设于该第一介电层、该第一导电层、该第一掩模层和该基底中的部分该第一沟槽具有一第二宽度，其中该第一宽度大于该第二宽度；

以一绝缘材料填满该第一沟槽，且该绝缘材料的上表面与该第二掩模层的上表面切齐；

移除该第二掩模层以及部分该第一掩模层，暴露出该第一导电层；

形成一第二导电层覆盖该第一导电层和该绝缘材料；

在该第二导电层中形成一第二沟槽，并暴露该绝缘材料的上表面；

形成一第二介电层顺应地覆盖该第二沟槽表面和该第二导电层表面；以及

形成一第三导电层覆盖该第二介电层并且填满该第二沟槽。

2.如权利要求1所述的制作方法，其中形成该第一沟槽的方法包含：

形成一第三掩模层覆盖该第二掩模层；

以光掩模定义该第三掩模层，并图案化该第三掩模层；

以图案化的该第三掩模层为一第一掩模，蚀刻该第二掩模层、该第一掩模层、该第一导电层、该第一介电层和该基底，形成一第三沟槽；

移除该第三掩模层；以及

将该第二掩模层退缩，以定义该第一沟槽的该第一宽度。

3.如权利要求1所述的制作方法，其中形成该第一沟槽的方法包含：

形成一第三掩模层覆盖该第二掩模层；

以一光掩模定义该第三掩模层，并图案化该第三掩模层；

以图案化的该第三掩模层为第一掩模，蚀刻该第二掩模层、该第一掩模层、该第一导电层、该第一介电层和该基底，形成第三沟槽；

对该第三掩模层进行紧缩工艺以定义该第一沟槽的该第一宽度；

以该紧缩后的第三掩模层为第二掩模，蚀刻该第二掩模层；以及

移除该第三掩模层。

4.如权利要求2、3所述的制作方法，其中形成该第二沟槽的方法包含：

在该第二导电层上形成第四掩模层；

以该光掩模定义该第四掩模层，并图案化该第四掩模层；

形成一间隙壁于该图案化的第四掩模层的侧壁；

以该图案化的第四掩模层和该间隙壁为第三掩模，蚀刻该第二导电层；以及

移除该第四掩模层。

5.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一沟槽的该第一宽度与该第一沟槽的该第二宽度构成T字状。

6.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一介电层包含氧化硅，该第一导电层包含多晶硅，该第一掩模层包含氧化硅，该第二掩模层包含氮化硅。

7.如权利要求1所述的制作方法，其中该绝缘材料作为浅沟槽隔离。

8.如权利要求1所述的制作方法，其中该第二介电层包含二氧化硅-氮化硅-二氧化硅。

9.一种快闪存储器制作方法，包含：

提供一基底，该基底表面依序覆盖一第一介电层、一第一导电层、一第一掩模层和一第二掩模层；

在该第二掩模层、该第一掩模层、该第一导电层、该第一介电层和该基底中，形成第一沟槽，其中设于该第二掩模层、该第一掩模层和该第一导电层中的部分该第一沟槽具有第一宽度，设于该第一介电层和该基底中的部分该第一沟槽具有第二宽度；

以绝缘材料填满该第一沟槽，且该绝缘材料的上表面与该第二掩模层的上表面切齐；

移除该第二掩模层以及该第一掩模层，暴露出该第一导电层；

形成第二导电层覆盖该第一导电层和该绝缘材料；

在该第二导电层中形第二沟槽，并暴露该绝缘材料的上表面；

形成第二介电层顺应地覆盖该第二沟槽表面和该第二导电层表面；以及

形成第三导电层覆盖该第二介电层并且填满该第二沟槽。