[发明专利]积层型压电元件无效
申请号: | 200910130272.2 | 申请日: | 2004-09-22 |
公开(公告)号: | CN101540367A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 冈村健;坂上胜伺;近藤光央 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L41/083 | 分类号: | H01L41/083;H01L41/22;H01L41/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种即使在高电场、高压力的环境下长时间连续驱动的情况下,变位量也并不变化、耐久性好的积层型压电元件;所述压电体层以PbZrO3-PbTiO3为主成分,Si含有量为5ppm以上且不足100ppm,所述Si向晶体晶粒边界偏析。 | ||
搜索关键词: | 积层型 压电 元件 | ||
【主权项】:
1.一种积层型压电元件,其交替地积层压电体层与内部电极层而构成,其特征在于,所述压电体层以PbZrO3-PbTiO3为主成分,Si含有量为5ppm以上且不足100ppm,所述Si向晶体晶粒边界偏析。
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