[发明专利]积层型压电元件无效
| 申请号： | 200910130272.2 | 申请日： | 2004-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101540367A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 冈村健;坂上胜伺;近藤光央 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/083 | 分类号： | H01L41/083;H01L41/22;H01L41/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 积层型 压电 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种积层型压电元件，其交替地积层压电体层与内部电极层而构成，其特征在于，
所述压电体层以PbZrO3-PbTiO3为主成分，Si含有量为5ppm以上且不足100ppm，所述Si向晶体晶粒边界偏析。
2.如权利要求1所述的积层型压电元件，其特征在于，所述晶体晶粒边界的厚度在1nm以下。
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