[发明专利]绝缘层以及使用其的半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200910129470.7 | 申请日： | 2009-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101752242A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 尹良汉 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3105;C23C16/52;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及制造绝缘层的方法以及制造使用该绝缘层的半导体器件的方法，制造绝缘层的方法包括：使用硅源和磷源在氮化物层上形成绝缘层，其中所述绝缘层包括：接触接触氮化物层的第一绝缘层和在所述第一绝缘层上形成的第二绝缘层，其中与所述第二绝缘层相比较，使用较高流量的硅源和较低流量的磷源来形成所述第一绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 以及 使用 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造绝缘层的方法，所述方法包括：在氮化物层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，其中所述第一绝缘层使用硅源和磷源形成，所述第一绝缘层通过使用比用于形成所述第二绝缘层的更高流量的所述硅源和更低流量的所述磷源来形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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