[发明专利]绝缘层以及使用其的半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造绝缘层的方法，所述方法包括：

在氮化物层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，

其中所述第一和第二绝缘层通过使用硅源和磷源形成，所述第一绝 缘层通过使用比用于所述第二绝缘层的更高流量的所述硅源和更低流 量的所述磷源来形成，

其中所述第二绝缘层中的磷含量大于所述第一绝缘层中的磷含量。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括对所述第一和第二绝缘层实施 回流热处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二绝缘层在共同的 腔室中原位形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二绝缘层中的最小磷含量 与所述第一绝缘层中的最大磷含量相同。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一绝缘层的磷含量为2～ 3.5wt％并通过使用900mgm～2500mgm的所述硅源来形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二绝缘层的磷含量为3.5～ 6wt％并通过使用500mgm～900mgm的所述硅源来形成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二绝缘层包括硼磷 硅酸盐玻璃层。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成多个图案；

在包括所述图案的所得结构上形成氮化物层；和

在所述氮化物层上形成具有均一厚度的第一绝缘层，和在所述第一 绝缘层上形成填充所述图案之间间隙的第二绝缘层，

其中所述第一和第二绝缘层使用硅源和磷源形成，所述第一绝缘层 通过使用比用于形成所述第二绝缘层的更高流量的所述硅源和更低流 量的所述磷源来形成，

其中所述第二绝缘层中的磷含量大于所述第一绝缘层中的磷含量。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括对所述第一和第二绝缘层实施 回流热处理。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一和第二绝缘层在共同的 腔室中原位形成。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二绝缘层中的最小磷含量 与所述第一绝缘层的最大磷含量相同。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一绝缘层的磷含量为2～ 3.5wt％并通过使用900mgm～2500mgm的所述硅源来形成。

13.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二绝缘层的磷含量为3.5～ 6wt％并通过使用500mgm～900mgm的所述硅源来形成。

14.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一和第二绝缘层包括硼磷 硅酸盐玻璃层。

15.根据权利要求8所述的方法，其中所述图案包括栅极、位线和金属 线。

16.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在限定单元区和周边区的衬底上形成多个栅极，所述单元区中栅极 之间的间隙小于所述周边区中栅极之间的间隙；

在包括所述栅极的所得结构上形成氮化物层；和

在所述氮化物层上形成第一绝缘层，和在所述第一绝缘层上形成填 充所述栅极之间间隙的第二绝缘层，

其中所述第一和第二绝缘层通过使用硅源和磷源形成，所述第一绝 缘层通过使用比用于所述第二绝缘层的更高流量的所述硅源和更低流 量的所述磷源来形成，

其中所述第二绝缘层中的磷含量大于所述第一绝缘层中的磷含量。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括对所述第一和第二绝缘层实施 回流热处理。

18.根据权利要求16所述的方法，还包括选择性地蚀刻所述第一和第二 绝缘层以形成暴露所述单元区的衬底的接触孔。

19.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一和第二绝缘层在共同的 腔室中原位形成。