[发明专利]双波长半导体激光器装置

摘要

本发明提供一种拐点等级、工作电压、温度特性和水平扩散角被优化的双波长半导体激光器装置。半导体激光器装置包括第1发光部；和发光波长比它大的第2发光部。第1发光部和第2发光部分别具有用来注入载流子的条状脊构造。第1发光部的脊构造包括宽度为Wf1、距离前端面5的长度为L3的第1前端区域；宽度为Wr1、距离后端面的长度为L1的第1后端区域；和位于它们之间的长度为L2的第1锥状区域，且Wf1＞Wr1。第2发光部的脊构造包括：宽度为Wf2、距离前端面的长度为L6的第2前端区域；宽度为Wr2、距离后端面的长度为L4的第2后端区域；和位于它们之间的长度为L5的第2锥状区域，且Wf2＞Wr2。另外，L1+L2+L3＝L4+L5+L6、Wf1＜Wf2以及L1＞L4。

主权项

1. 一种半导体激光器装置，其特征在于，在基板上设有第1发光部；和用大于所述第1发光部的波长进行发光的第2发光部，所述第1发光部和所述第2发光部分别具备：第1导电型包覆层、设在所述第1导电型包覆层上的活性层、和设在所述活性层上的用来注入载流子的具有条状脊构造的第2导电型包覆层，所述第1发光部中的所述脊构造包括：第1前端区域，宽度为Wf1，且距离前端面的长度为L3；第1后端区域，宽度为Wr1，且距离后端面的长度为L1；和第1锥状区域，位于所述第1前端区域和所述第1后端区域之间，宽度从前端面侧向后端面侧变化，且长度为L2，Wf1>Wr1的关系成立，所述第2发光部中的所述脊构造包括：第2前端区域，宽度为Wf2，且距离前端面的长度为L6；第2后端区域，宽度为Wr2，且距离后端面的长度为L4；和第2锥状区域，位于所述第2前端区域和所述第2后端区域之间，宽度从前端面侧向后端面侧变化，且长度为L5，Wf2>Wr2的关系成立，并且，L1+L2+L3＝L4+L5+L6、Wf1L4的关系成立。