[发明专利]双波长半导体激光器装置

权利要求书

1.一种半导体激光器装置，其特征在于，

在基板上设有第1发光部；和用大于所述第1发光部的波长进行发光的第2发光部，

所述第1发光部和所述第2发光部分别具备：第1导电型包覆层、设在所述第1导电型包覆层上的活性层、和设在所述活性层上的用来注入载流子的具有条状脊构造的第2导电型包覆层，

所述第1发光部中的所述脊构造包括：

第1前端区域，宽度为Wf1，且距离前端面的长度为L3；

第1后端区域，宽度为Wr1，且距离后端面的长度为L1；和

第1锥状区域，位于所述第1前端区域和所述第1后端区域之间，宽度从前端面侧向后端面侧变化，且长度为L2，

Wf1>Wr1的关系成立，

所述第2发光部中的所述脊构造包括：

第2前端区域，宽度为Wf2，且距离前端面的长度为L6；

第2后端区域，宽度为Wr2，且距离后端面的长度为L4；和

第2锥状区域，位于所述第2前端区域和所述第2后端区域之间，宽度从前端面侧向后端面侧变化，且长度为L5，

Wf2>Wr2的关系成立，

并且，L1+L2+L3＝L4+L5+L6、Wf1<Wf2以及L1>L4的关系成立。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

满足L3>L2以及L5>L6的关系。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

当设前端面的反射率为Rf，后端面的反射率为Rr时，满足Rf<Rr的关系。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第1前端区域、所述第1后端区域、所述第2前端区域和所述第2后端区域，均具有宽度在±10％以下变动的形状。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

在所述第1发光部和所述第2发光部两方中的所述第1导电型包覆层和所述第2导电型包覆层均由AlGaInP类材料组成。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第1发光部中的所述活性层由GaInP系列或AlGaInP类材料组成，

所述第2发光部中的所述活性层由GaAs系列或AlGaAs类材料组成。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第1发光部和所述第2发光部中至少一方的所述活性层是量子阱活性层，

在包含所述量子阱活性层的共振器的前端面和后端面中至少一方附近，通过杂质扩散使得所述量子阱活性层无序化。