[发明专利]半导体处理用的成膜装置及其使用方法

摘要

本发明提供一种半导体处理用的成膜装置及其使用方法。半导体处理用的成膜装置的使用方法，为了减少金属污染，包括：使用清洗气体对处理容器内的内壁和不保持产品用被处理体的保持部件的表面进行清洗处理的工序；接着，通过交替供给硅源气体和氮化气体而进行硅氮化膜的覆盖处理，利用硅氮化膜覆盖处理容器的内壁和不保持产品用被处理体的保持部件的表面的工序。

主权项

1. 一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其特征在于：所述成膜装置具备：能够保持真空的立式的处理容器；保持部件，其配置在所述处理容器内，以多段保持的状态保持产品用被处理体；和设置在所述处理容器的外围的加热装置，所述半导体处理用的成膜装置的使用方法用于减少金属污染，其包括：使用清洗气体对所述处理容器内的内壁和不保持产品用被处理体的所述保持部件的表面进行清洗处理的工序；接着，通过交替供给硅源气体和氮化气体而进行硅氮化膜的覆盖处理，利用所述硅氮化膜覆盖所述处理容器的内壁和不保持产品用被处理体的所述保持部件的表面的工序。