[发明专利]半导体处理用的成膜装置及其使用方法

权利要求书

1.一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其特征在于：

所述成膜装置具备：能够保持真空的立式的处理容器；保持部件， 其配置在所述处理容器内，以多段保持的状态保持产品用被处理体； 和设置在所述处理容器的外围的加热装置，

所述半导体处理用的成膜装置的使用方法用于减少金属污染，其 包括：

使用清洗气体对所述处理容器内的内壁和不保持产品用被处理体 的所述保持部件的表面进行清洗处理的工序；

接着，通过交替供给硅源气体和氮化气体而进行硅氮化膜的覆盖 处理，利用所述硅氮化膜覆盖所述处理容器的内壁和不保持产品用被 处理体的所述保持部件的表面的工序。

2.如权利要求1所述的半导体处理用的成膜装置的使用方法，其 特征在于：

所述处理容器具有与所述保持部件对应的高温部和所述高温部的 下侧的低温部，

所述覆盖处理使所述高温部中的所述硅氮化膜的膜厚tH与所述低 温部中的所述硅氮化膜的膜厚tL之比tH/tL为1以上15以下。

3.如权利要求2所述的半导体处理用的成膜装置的使用方法，其 特征在于：

所述覆盖处理通过所述加热装置加热所述高温部，并且通过所述 加热装置以外的其它加热器加热所述低温部。

4.如权利要求2所述的半导体处理用的成膜装置的使用方法，其 特征在于：

所述硅氮化膜的膜厚为18nm以上300nm以下。

5.如权利要求1所述的半导体处理用的成膜装置的使用方法，其 特征在于：

所述覆盖处理使用二氯硅烷作为所述硅源气体，使用550℃以上 650℃以下的处理温度。

6.如权利要求1所述的半导体处理用的成膜装置的使用方法，其 特征在于：

所述覆盖处理使用六氯乙硅烷作为所述硅源气体，使用450℃以上 550℃以下的处理温度。

7.如权利要求1所述的半导体处理用的成膜装置的使用方法，其 特征在于：

所述清洗气体是卤素或者卤素化合物。

8.如权利要求1所述的半导体处理用的成膜装置的使用方法，其 特征在于：

所述清洗气体选自F₂、CF₄、C₂F₆、ClF₃、COF₂、NF₃和HCl。

9.如权利要求1所述的半导体处理用的成膜装置的使用方法，其 特征在于：

还包括在所述覆盖处理后，通过向收纳有保持产品用被处理体的 所述保持部件的所述处理容器内交替供给所述硅源气体和含氧或氮的 气体，进行在所述产品用被处理体上形成含氧或氮的薄膜的成膜处理 的工序。

10.如权利要求9所述的半导体处理用的成膜装置的使用方法，其 特征在于：

在多次实施所述成膜处理后，再次进行所述清洗处理和所述覆盖 处理。

11.一种半导体处理用的成膜装置，其特征在于，包括：

能够保持真空的立式的处理容器；

保持部件，其配置在所述处理容器内，以多段保持的状态保持产 品用被处理体；

设置在所述处理容器的外围的加热装置；和

控制所述装置的动作的控制部，

为了减少金属污染，所述控制部执行：

使用清洗气体对所述处理容器内的内壁和不保持产品用被处理体 的所述保持部件的表面进行清洗处理的工序；

接着，通过交替供给硅源气体和氮化气体而进行硅氮化膜覆盖处 理，利用所述硅氮化膜覆盖所述处理容器的内壁和不保持产品用被处 理体的所述保持部件的表面的工序。