[发明专利]氮化物半导体层压结构、光半导体装置及它们的制造方法有效
| 申请号： | 200910126826.1 | 申请日： | 2009-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101540365A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 大野彰仁;竹见政义;富田信之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/323;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉兰;孙秀武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化物半导体层压结构、光半导体装置及它们的制造方法。制造具有结晶性良好、电阻率足够低的p型氮化物半导体层的氮化物半导体层压结构。在GaN基板(11)(基板)上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质以及作为V族原料的NH3形成p型Al0.07Ga0.93N层(12)(第一p型氮化物半导体层)。接着在该p型Al0.07Ga0.93N层(12)上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质以及作为V族原料的NH3和肼衍生物形成p型GaN层(13)(第二p型氮化物半导体层)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 层压 结构 装置 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.氮化物半导体层压结构，其特征在于，包括：基板，在所述基板上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质原料以及作为V族原料的NH3形成的氢浓度为1×1019cm-3以下的第一p型氮化物半导体层，和在所述第一p型氮化物半导体层上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质原料以及作为V族原料的氨和肼衍生物形成的碳浓度为1×1018cm-3以下的第二p型氮化物半导体层。
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