[发明专利]氮化物半导体层压结构、光半导体装置及它们的制造方法

权利要求书

1.氮化物半导体层压结构，其特征在于，包括：

基板，

在所述基板上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质原料 以及作为V族原料的NH₃形成的氢浓度为1×10¹⁹cm_-3以下的第一p型氮 化物半导体层，和

在所述第一p型氮化物半导体层上使用作为III族原料的有机金属 化合物、p型杂质原料以及作为V族原料的氨和肼衍生物形成的碳浓度 为1×10¹⁸cm^-3以下的第二p型氮化物半导体层，

使用1，1-二甲基肼或1，2-二甲基肼作为所述肼衍生物。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体层压结构，其特征在于，

所述第一p型氮化物半导体层为AlGaN层，

所述第二p型氮化物半导体层为GaN层。

3.光半导体装置，其包括

基板，

形成在所述基板上的n型包层，

形成在所述n型包层上的活性层，

在所述活性层上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质原 料以及作为V族原料的氨形成的氢浓度为1×10¹⁹cm^-3以下的p型包层， 和

在所述p型包层上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质 原料以及作为V族原料的氨和肼衍生物形成的碳浓度为1×10¹⁸cm^-3以下 的p型接触层，

使用1，1-二甲基肼或1，2-二甲基肼作为所述肼衍生物。

4.如权利要求3所述的光半导体装置，其特征在于，

所述p型包层为AlGaN层，

所述p型接触层为GaN层。

5.氮化物半导体层压结构的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质原料以及 作为V族原料的氨形成第一p型氮化物半导体层的步骤，

在所述第一p型氮化物半导体层上，使用作为III族原料的有机金 属化合物、p型杂质原料以及作为V族原料的氨和肼衍生物形成第二p 型氮化物半导体层的步骤，

使用1，1-二甲基肼或1，2-二甲基肼作为所述肼衍生物。

6.如权利要求5所述的氮化物半导体层压结构的制造方法，其特征 在于，形成AlGaN层作为所述第一p型氮化物半导体层，形成GaN层 作为所述第二p型氮化物半导体层。

7.如权利要求5或6所述的氮化物半导体层压结构的制造方法，其 特征在于，所述第二p型氮化物半导体层的生长时间为10秒以上。

8.如权利要求5或6所述的氮化物半导体层压结构的制造方法，其 特征在于，所述第二p型氮化物半导体层的生长时间为120秒以上。

9.如权利要求5或6所述的氮化物半导体层压结构的制造方法，其 特征在于，形成所述第二p型氮化物半导体层时，使用氢气的体积组成 比为x(0≤x≤1)、氮气的体积组成比为1-x的氢气与氮气的混合气体 作为载气。

10.如权利要求5或6所述的氮化物半导体层压结构的制造方法， 其特征在于，形成所述第二p型氮化物半导体层时，所述肼衍生物与所 述有机金属化合物的供给摩尔比为1以上且小于20。

11.如权利要求5或6所述的氮化物半导体层压结构的制造方法， 其特征在于，形成所述第二p型氮化物半导体层时，所述肼衍生物与所 述有机金属化合物的供给摩尔比为3～15。

12.如权利要求5或6所述的氮化物半导体层压结构的制造方法， 其特征在于，形成所述第二p型氮化物半导体层时，所述氨与所述肼衍 生物的供给摩尔比为10以上且小于1000。