[发明专利]局部放电传感器内置无效

专利信息
申请号: 200910119356.6 申请日: 2009-03-25
公开(公告)号: CN101545923A 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 肖传强;蔡洪波;高海松 申请(专利权)人: 北京兴迪仪器有限责任公司
主分类号: G01R1/02 分类号: G01R1/02;G01R31/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 101500北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明局部放电传感器内置涉及电缆监测技术领域。以传感器内置提供放电监测新结构、新方式;其前导体及后导体外表面均设置有电缆绝缘层,电缆绝缘层的外表面设置有半导电层,半导电层的外表面设置有电缆金属套,经压接后的前导体及后导体外表面、前导体及后导体的电缆绝缘层土设置的半导电层端头段的外表面均以固定的方式设置有同一个锥形体,半导电带缠绕在锥形体端头处,电极缠绕在锥形体端头处的半导电带上,绝缘带缠绕在电极及电缆绝缘层的半导电层表面,屏蔽网缠绕在电缆金属套、绝缘带、锥形体、半导电层的表面,接头金属套与电缆金属套套装,接头金属套内以灌装后凝固并与相邻件粘结的灌胶层,电缆与电极采用电连接。
搜索关键词: 局部 放电 传感器 内置
【主权项】:
1、一种局部放电传感器内置,其特征在于:主要由前导体(1)、后导体(2)、电缆绝缘层(3)、半导电层(4)、电缆金属套(5)、锥形体(6)、半导电带(7)、电极(8)、电缆(9)、绝缘带(10)、屏蔽网(11)、接头金属套(12)、灌胶层(13)构成;所述局部放电传感器内置,其前导体(1)与后导体(2)压接连接,其前导体(1)及后导体(2)的外表面上均设置有电缆绝缘层(3),其电缆绝缘层(3)的外表面上设置有半导电层(4),其半导电层(4)的外表面上设置有电缆金属套(5),其经压接后的所述前导体(1)及后导体(2)外表面上、所述前导体(1)及后导体(2)上设置的电缆绝缘层(3)上设置的半导电层(4)端头段的外表面上均以固定的方式设置有同一个锥形体(6),其半导电带(7)缠绕在锥形体(6)的端头部位,其电极(8)缠绕在锥形体(6)端头部位的半导电带(7)上,其绝缘带(10)缠绕在电极(8)上及电缆绝缘层(3)上的半导电层(4)表面,其屏蔽网(11)缠绕在电缆金属套(5)、绝缘带(10)、锥形体(6)、半导电层(4)的表面上,其所述的接头金属套(12)与电缆金属套(5)套装,其接头金属套(12)内以灌装后凝固并与相邻件粘结的方式灌装有灌胶层(13),其所述电缆(9)与电极(8)采用电连接。
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